Травитель для полупроводниковых материалов

Травитель для полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е »)544019

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 22.07.75 (21) 2158793/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано25.01.7 ..Бюллетень ¹ 3 (45) Дата опубликования описания04,05,77 (51) М Кл

Н 01 L 21/306

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. А. Преснов, О. П. Канчуковский, Л. B. 7 1ороз и А. Л. Шенкеви ..

Одесский ордена Трудэвогэ Красного Знамени государственный (71) Заяв те

71 Заявитель университет им. И. И. Мечникова (54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к обработке полупроводниковых материалов преимущественно дня травления кремния.

Известен травитель для получения углублений навскрытой поверхности кремния на глубину 90С 1ОООА, содержащий HN03 . HF: Сйа СООН=6: 1:2 (1)

Однако этот травитель содержит фтористс водородную кислоту, поэт;ому нельзя получить углубления более 4000 А, т.е. одновременно IO полностью стравливается защитный слой S O,.

Наиболее близким по техническому решению к предлагаемому является травитель для полупроводниковых материалов, например кремния, содержащий фтористоводородную кис 5 лоту, азотную кислоту и азэтнокислэе серебро

j2) .

Однако этот травитель не позволяет получить полированную поверхность, и кроме тс го, растравливание в стороны (увеличение 20 диаметра) составляет порядка 10%.

Бель изобретения — уменьшение растравливания углублений.

Поставленная цель достигается тем, что компоненты травителя взяты в следующем 25 соотношении, вес.HF; HNO R(NO =1:(5-7):

:(О, 1-2,5).

Пример . Вскрытие окон диаметром

60 мкм в защитном слое Sr0 осуществляют методом контактной фотолитографии. Для woго íà поверхностью 0 наносят слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинондиазида методом центрофугирования. Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин., в сушильном о шкафу при 85 С в течение 15 мин.; ",.понирование осуществляют при освещс .ности

6000 лк в течение 1,5 мин. Проявление проводят в 0,125%ном растворе NctОНв течение

30-40 сек. Процесс задубливания фоторезиста осуществляют при 70 С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры до о

170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин. Вскрытие окон а S<0> проводят в травител. следующего состава:

9: 1: О

WHUFF HF H O о при 6 С в течение 35 мин. После вскрытия окон защитный слой фоторезистора удаляют в в концентированноййе504 при 50 С. После уда544019

Составитель Е. Бычкова

Редактор Т Иванова ТехРед Н. АндРейчУк КоРРектоР Ж. Кеслер

Заказ 836/67 Тираж 976 П одпис кое

1(НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ления слоя фэторезиста тщательно промывают, сушат и проводят контроль геометрических размеров отверстий, полученных в окисном слое с помощью микроскопа ММУ-З.Диаметр отверстий, полученных в 9 0,60 мкм. для получения углублений на поверхности кремния образцы подвергают травлению в травителе следующего состава;

HF:HN0ç ANNO 1. 5 7 О 1 2,5 (все компоненты марки ОСЧ или ХЧ). ГлуПолучение выпряь ляюшего контакта в уг- gp лублениях рекомендуется наносить сразу пос ле вытравливания. ормула изобретения

Травитель для полупроводниковых материалов, например, кремния, содержащий фтористоводородную кислоту, азотную кислоту и азотнокислое серебро, о т л и ч а ю ш и и -e) 4 бину вытравливания углублений контролируют с помошью микроскопа МИИ-4. Также с псмощью этого микроскопа проводят контроль

—,олшины защитной пленки S< 0>, оставшейся после травления.

Как видно из представленной таблицы, наибольшая глубина углублений 10 мкм, при этом зашитный слойБ О практически, не стравливается, что получается при использовании травителя следуюшего состава:

Н HNO„:Я NО =1:6:0,3. с я тем, что, с целью уменьшения растравливания, компоненты травителя взяты в следующих саэтнощениях, вес ч.

HF: НИ0з д МОз 1 (5 7) (О 1 2 5)

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент Японии t4 48-2511, 99 (5)Л, опубл. 1973 г.

2. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов Энергия М. 1968 г. стр. 86 (прототип) .