Состав для шлифования полупроводниковых структур

Состав для шлифования полупроводниковых структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

I I l) 5450! 7

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Доно IHIIiåëüíîå к авт. свид-ву (22) Заявлено 02.06.75 (21) 2139649, 25 с присоединением заявки ¹

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет

Опубликовано 30.01.77. Бюллетень ¹ 4 (53) УДК 621.382(088.8) Дата опубликования описания 11.02.77 (72) Авторы изобретения

Я. М. Пинчук и В. М. Рюмшин (71) Заявитель (54) СОСТАВ ДЛЯ ШЛИФОВАНИЯ

ПОЛУПРОВОДН ИКОВЫХ СТРУКТУР кую скорость шлифования трудно регулироI33TI временем, поэтому возможна псреш lllфовка.

Цель изобретения — повышение прочности и снижение электрического сопротивления контакта.

Поставленная цель достигается тем, что в состав введен глицерин при следующем соотношении компонентов в вес.

Абразивньш порошок N-28 20 — 30

Глицерин 20 — 40

Вода Остальное

П р» м е р. Полупроводниковые пластины п — типа проводимости после операций диффузии акцепториой примеси, термического окисления, фотолитографии, диффузии донорной примеси и фшшшной фотолитографии подвергают гидромеханической обработке в водной суспензии состава (вес. % ):

Глицерин 20 — 40

Аоразивный порошок М-28

Вода

20 — 30

Остальное

После o0p30()T суспензией полупроводниковые структуры отмывают в водной ультразвуковой ваипс и они поступают иа операцию металлизаиип методом осаждения из раст30 вора.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно при получении контактных покрытий на многослойных полупроводниковых структурах со сложным рельефом.

Известен травитель для обработки поверхности полупроводниковой структуры перед операцией нанесения контактов, содержащий насыщенный раствор бихромата калия в плавиковой кислоте и травитель, содержащий натриевую и калиевую щелочь.

К недостаткам известного травителя относится следующее.

Раствор бихромата калия в плавиковой кислоте воздействует на поверхность кремния и на разделительные окисные слои, он также полирует поверхность полупроводника, ограничивая предельную толщину осаждаемого покрытия.

Обработка в смеси натриевой и калиевой щелочей (тактике как и предыдущий травитель) снижает концентрацию легирующих примесей в приконтактной области и полирует поверхность структуры.

Наиболее близким техническим решением является состав для шлифования полупроводниковых структур со сло киым рельефом, например, окисным, содержащий абразивный порошок и воду. Однако состав требует постоянного иеремешивания, кроме того, высо(51) М. Кл.- "Н 01L 21 306

545017

Формула изоорстеиия

Составитель Е. Бычков

Текред Е. Петрова

Корректор Л. Деиискина

Редактор Н, Коляда

Заказ 112/13 Изд. ¹ !67 Тира>к 1019 Подписное

Ц!1ИИПИ Государственного ком(!тета Сонета Министров СССР во дел ))l изобретений и с гкрытнй

113035, Москва, )К-35, 1 аугнская иаб., д 415

Типография, пр. Сапунова, 2

Рса (иаациЯ !!Peg,(oil(cllllol o clloco()3 пО3130iIIIÒ IlOI3(>ICII J I IJPOJ(CJIl !3Ь(:(ОД3, НВДСЖИОСТ(> II

ЦИК, IОС J Oiп;ОСТЬ IIO. J ÷ ((PОВОДНИКОВ1>1:: ПРИОО )OJ3, С И I! 311 T I> П Р Я (> 0 С И 3 Д L И I I С П ЬI П Р )1 Ж С(! I! и И ТЕ ИЛ 0вое сопротивление.

Состав для шлифования полупровод!3иковык структур со сложным рельефом, например

oI(JIcJJ((»I, содер)каи(ий оорааивиый порошок и (3O, (>t, О 1, I II Ч cl IO II(JI И С )! С)1, 1 !О, С Ц(., !1>10 II()131>(И! СИ И Я !)()О I IIOCTII II СН ИЖСJI JI Ë ЭГ(С(СТ() И>!ССКОго сои!)Отивлс!!и)1 коитакга, В соста13 Ввсдсll глицерин при следу!Ощи): соотношенияк ингРаДиситов в вес. )о: . (О ) 3 3 (1 В Н Ы (3 (I O P Oшок М-28 20 — 30

Глицерин 20 — 40

Вода Остальное