Способ изготовления германиевых точечных полупроводниковых диодов

Способ изготовления германиевых точечных полупроводниковых диодов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ (i i) 555762

Ооюа Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.09.71 (21) 1694764/25 (51) M. Кл з

Н 01Ь 21/18 с присоединением заявки Уо (43) Опубликовано 23.07.82. Бюллетень Хе 27 (45) Дата опубликования описания 23.07.82 (53) УДК 621.382 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы пзобрстс пия

В. П. Шаповалов, И. Н. Кононенко, В. A. Прохоров, С. М. Загайтов, Л. А. Радомысленский, Л. Б. Кузовкин и И. Г. Гавриленко (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕРМАНИЕВЪ|Х ТОЧЕЧНЪ|Х

ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Х ДИОДОВ

ГосУда Рственный комитет (23) П р нори ге г

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов на основе монокристаллического германия, конкретно к производству германиевых точечных полупроводниковых диодов. г

Известен способ изготовления германиевых точечных диодов, согласно которому кристалл полупроводника помещают между контактной иглой и навеской из припойного сплава, после чего проводят формовку. 1р

Недостаток известного способа состоит в изменении положения кристалла относительно вывода за счет проседания в расплавленный припой.

Известен способ изготовления германиевых точечных диодов на основе монокристаллического германия и-типа с использованием метода электрической формовки, при использовании которого устраняется указанный недостаток за счет применения оолее тугоплавких припоев. При способе изготовления германиевых точечных диодов под действием термического удара наблюдается флуктуационное распределение микродефектов и дислокаций в объеме р — и перехода, В результате эффективность микродефектов и дислокаций, как центров рекомбинации, усиливается, что приводит к ухудшению качества диодов и снижению пх стойкости к мехаш ческим воздействиям. 30

Цель изобретения — улучшение качества диодов и повышение пх стойкости к механическим воздействиям.

Это достигается тем, что изготовление (сборку) точечных диодов до проведения процесса создания р — и перехода производят с использованием плавающей металлической прокладки, покрытой с двух сторон припоем на основе олова и помещасмой непосредственно под германиевый кристалл.

||а чертеже изображен точечный германиевый диод, собранный по предлагаемому способу.

Способ осуществляется следующим образомм.

Для сборки держателя с кристаллом необходимы стеклянный баллон 1 с платиновым выводом 2, предварительно очищенный известными химическими способами для обеспечения смачивания вывода припоем, навеска 3 нз припойного сплава, никелевая прокладка 4, покрытая с двух сторон нанесенным гальваническим слоем припоя 5, кристалл 6, изготовленный из германия и-типа. Детали помещаются в конвейерную печь, где в нейтральной среде при 400 — 500 С кристалл припаивается к никелевой прокладке, а никелевая навеска — к платиновому выводу Гто< ле этого

555762

Фоj)Móë3 нзобрстенttя

Редактор О. Филиппова

1(орректор А. Галахова

Тсхрсд И. Пенчко

Заказ 1023/6 Изд. М 186 Тираж 856 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 собранный /1ер>катель герметизпрустся вместе с выводом 7 и контактной иглой Ь и ttoступает на операцию электрической формовки, где при помощи электрического формующего импульса создается выпрям- 5 ляющий р — и переход. При этом в процессе формовки никелевая прокладка, материал которой имеет высокую теплопроводность, а габариты обеспечивают необходимую теплоемкость, улучшает условия фор- 10 мовки, а также механические и электрические характеристики диодов.

Диодные структуры, изготовленные предлагаемым способом, имеют повышенное напряжение пробоя, соответственно бо- 15 лее низкие уровни обратных токов, повышенную стабильность этих параметров во времени и более высокую механическую устойчивость за счет уменьшения влияния неконтролируемого флуктуационного рас- 20 пределения центров рекомбинации в объеме р — п перехода и исключения подплавления припоя под приемником.

Способ изготовления германиевых точечных полупроводниковых диодов на основе тонкокристаллического германия и-типа с использованием метода электрической формовки, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диодов и повышения их стойкости к механическим воздействиям путем исключения ухудшения пружинящих свойств контактной иглы, связанных с расплавлением припоя и присоединением к нему кристалла под действием упругой силы со стороны иглы, изготовление (сборку) точечных диодов до проведения процесса создания р — и перехода производят с использованием плавающей металлической прокладки, покрытой с двух сторон припоем на основе олова и помещаемой непосредственно под герм анпевый кристалл.