Квазистатическая ячейка памяти
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К . АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. cBHll-ву
iiii63I988
Сеоа советова
Сюцналистииеора
Республик
ВПТУ
ФМ; ЖИРЛ3
2 (5l> М. Кл. (22) Заявлеио17.05,76 (21} 2363319/18-24
Cj 11 С 11/40 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05а11.78.Бюллетень %41 (45) Дата опубликования описания 05.11.78
Гкуйвестввяввй «аетвт
Свевтв М«втрв ССО вв девам взвбрвтеввв
rr втквипе (53) УД,К 681.327, . 66 (088. 8 ) (72) Авторы изобретения
Ю. A. Аверкин, В. Д, Костюк, В. П. Сидоренко, В. Н. Смирнов, Ю. П. Троценко, В. П. Чекалкин, H. И. Хцынский и Ю. A. Юхименко (71) Заявитель (54) КВАЗИСТАТИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминаю-цтим устройствам.
Известна ква зистатическая ячейка памяти, выполненная на трех МДП-транзисторна (1) . Эта ячейка занимает 1 большую плошадь на подложке н имеет низкое быстродействие.
Наиболее близким техническим регггением к предложенному является квази 10 статическая ячейка памяти, содержащая транзисторы записи н считывания, стоки которых подключены к первой шине выборки, затворы — ко второй шине выборки.
Исток транзистора записи подключен к за тъору информационного транзистора, исток которого соединен с шиной цитания, а сток — с истоком транзистора считывания (2J .
Эта ячейкатакже имеет ннэкоебыстродействие иэ-за необходимости периодической регенерации информации, Цель изобретения — повышение быстродействия ячейки памяти.
Указанная aenb достигается тем, что ячейка содержит транзистор регенерации и шину импульсного питания, причем исток транзистора регенерации соединен со стоком информационного транзистора, сток — с истоком транзистора записи, а затвор — с шиной импульсного питания, Нв чертеже представлена принципиальная схема ячейкя памяти.
Ячейка содержит транзистор записи 1, транзистор считывания 2, шины выборки
3, 4, информационный транзистор 5, транзистор регенерации 6, шину питания
7, шину 8 импульсного питания.
Транзистор регенерации 6 имеет два уровня порогового напряжения вдаль линии канала. Более высокое значение порогового напряжения, чем у остальных транзисторов, имеет также транзистор записи 1.
Часть ячейки памяти, включающая в себя информационный транзистор 5 и транэястор регенерации 6, прн наличии питающих напряжений, приложенных к шинам 7, 8, обеспечивает поддержание
6319
3 двух устойчивых состояний Потенциапа затвора информациоиного транзистора 5 или, что то же самое,> авторегенерацию, записанной информации.
Ъ . -%
Устройство работает следующим об- и разом. Запись информации в ячейку осуществляется путем подачи соответствую щих сигналов на шины выборки 3 и 4.
При этом заряжается емкость затвора. информационного транзистора 5 пример- @ но до напряжения íà шине выборки 4, т.е. записъюается логический нуль и единица.
Считывание информации производится на шину выборки 4 при подаче на шину выборки 3 сигнала с амплитудой, мень- 3$ щей амплитуды порогового напряжения транзистора записи 1. Если в ячейке записана логическая единица, то информационный транзистор S открьтг и происходит зарядка шины выборки 4, в случае 39 логического нуля - на выходе сохраняется нулевой потенциал. В силу того что считывание произвоцится не непосредственно с запоминающей емкости затвора ии« формационного транзистора 5, акосвенно,,25 записанная информация при этом не раэруша ется.
Описанная ячейка памяти является ячейкой квазистатического типа, обладающей способностью хранения и перезаписи 3О двух устойчивых состояний и неразру88 шающего считывания информации. При большем быстродействии, чем у известных ячеек, в ней сохраняется минимальное число шин выборки, что позволяет строить на ее основе матрицы ОЗУ большой информационной емкости.
Формула изобретени
Кваэистажческая ячейка памяти, содержащая транзисторы записи и считывания, стоки которых подключены к первой шине выборки, затворы - ко второй шине выборки, исток транзистора записи подключен к затвору информационного транзистора, исток которого соединен с шиной питания, а сток - с истоком транзистора считывания, о т л и ч а ю щ а,я с я тем, что, с целью повышения быстродействия ячейки, она содержит транзистор регенерации и шину импульного питания, юзичем исток транзистора регенерации соединен со стоком информационного транзистора, сток — с истоком транзистора записи, а затвор - с шиной импульсного питания
Источники информации, принять е во вниманю при экспертизе:
1. Авторское свидетельство СССР
И 395900, кл. Ci,11 С 11/40, 08.01.74.
2, Патент США ¹ 3. 706.079, кл. 340-173 R, 12.12.72.
ЦНИИПИ Заказ 6359/52 Тираж 675 Подписное
Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4