Способ изготовления электролюминесцентного экрана

Способ изготовления электролюминесцентного экрана

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскнх

Соцналнстнческмх

Республмк (iii655257

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свнд-ву М 580772 (22) Заявлено 10,1077 (21) 2532441/18-25 (51)М. ХЛ.2 с присоединением заявки HP

Н 01 Ь 21/20

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытии (23) Приоритет (53) УДК 621 ° 383 (088. 8) Опубликовано 0509.79. Бюллетень HP 33

Дата опубликования описания 0709.79 (72) Авторы

НЗОбрвтЕНИ я В, Е, 3 слоту хин, И. Е, Марончук, Ю. Е, Марончук и Б, С, Лисен кер

Институт физики полупроводников Сибирского отделения (71) 8« H>eiIH АН СССР и Новосибирский государственный университет (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО

ЭКРАНА

ro и произвольных линейных размерах приводит к существенному разбросу выходных характеристик элементов экрана, что не поз вол яет пслучат ь с его помощью качественных элементов табло.

Цель изобретения — увеличение размеров контрастного табло с возможн ост ью одн овре мен H or o в ключ ен и я бол ьшого числа элементов.

Проведение э питаксиальн oro выращивания при произвольном расположении стержней один относительно друго-Зо

Из обретение относится к полу проводниковой технологии, в частности к способам изготовления электролюминесцентных табло, и может быть использовано в электронной и вычислительной технике при изготовлении оптоэлектронных приборов и вычислительных машин.

По основному авт. св, 9 580772 известен способ изготовления электролюминесцентного экрана, заключающий ся в том, что электролюминесцентный экран создают путем выращивания р и-переходов на подложках в виде стержней мон окрист аллов полупроводника, собранных в пакет и распсложенных друг от друга на расстоянии

0,5-2 мм, затем пакет запслняют раствором-расплавом металлов, образующим омический контакт со структурами, и после остывания полученный монолит разрезают на пластины перпендикулярно оси стержней. Однако этот способ предназначен для изготовления мозаичных многоэлементных экранов с большой плотн ост ью однотипных элементов.

Это достигается тем, что торцы и одну из сторон профилированных стержней защищают диэлектрикам, стержни устанавливают в пакет в порядке, .образующем в сечении, перпендикулярном оси стержней, необходимяе элементы табло, Суть способа заключается в том, что выращивание р — n-переходов производят на обеих поверхностях подложек, которые затем нарезают на полоски, покрывают диэлектриком, например SiN4, и устанавливают в кассету так, что они в сечении составляют элементы табло, после чего заполняют металлическим сплавом, например 70%

Ag + 30% Ы (для табло на основе СаР, GaAS), полученный монолит нарезают по сечению на пластины, которые далее спекают с диэлектрически- ми платами, имеющими металлические контакты к элементам табло. Полученные при этом р — п-переходы светодиодов расположены перпендикулярно к поверхности, контакты и поверхность излучения находятся на разных сторонах табло, этим существенно повышается КПД табло, Таким способом также достигается хорошая контрастность изображения за счет того, что каждый элемент табло окружен металлом. Такая конструкция решает и проблему теплоотвода, что в свою очередь позволяет экрану работать с большой светоотдачей, т, е. одновременно включать большое число элементов, Предлагаемый способ позволяет упростить технологию изготовления табло, получить значительную экономию исходного полупроводникового материала, так как нет необходимости, например, стравливать значительную часть полупроводника, кроме того, разрезание р — n-переходов больших площадей на стержни позволяет существенно увеличить полезную площадь полупроводникк ов ого матери ал а.

Пример. На подложках фосфида галлия и-типа (диаметром-25-30 мм) методом жидкостной эпитаксии из органического объема раствора-расплава галлия, насыщенного фосфором, выращивают эпит акси ал ьные слои сн ачал а п-типа (при легировании теллуром), а затем р-типа (при легировании цинком и кислородом) .

Полученные структуры покрывают слоем нитрида кремния (для этого используется казотранспортная реакция

S1C2g H Ng H4 B потоке H2) H нарезают на полоски размерами 0,5 х 3 х 60 мм, которые определяются размерами табло.

Полученные структуры устанавливают в пакет так, что в сечении они оставляют заданное табло, Затем полоски отжигают в атмосфере чистого кислорода при 850 C 20 мин, При этом на незащищенной поверхности структуры образуется слой окиси галлия, М аа

55257 4 и

Ю 2Q 3, )который служит дл я з ащиты р и-перехода. Изготовленные структуры протра вливают в HF для сн ятия слоя

Si> N4, никелируют зле ктрохимическим способом и отжигают в атмосфере водорода при 650 С 2-3 мин.

Затем при 700 С пакет заполняют сплавом 65% М + 3536Е . При взаимодей ствии никелевого покрыти я со сплавом.Ae -Ge происходит частичное растворение последнего, что обеспе10 чивает качество смачивания и заполнение сплавом промежутков между структурами.

Монолит, полученный после затвердевания сплава М =Gf с инкрустиро15 Ванными p — и-структурами GaP, наре зают на пластины перпендикулярно оси полупроводниковых стержней, Полученные пластины механически полируют и травлят в смеси НСР -HNO, после чего помещают в графитовую кассету с индиевыми навесками, расположенными против инкрустированных в металлическую матрицу кристаллов

GaP, и производят их вжигание при

500 С 5 мин в атмосфере водоРода.

Изготовленное табло с контактами устанавливают на изолирующей плате с нажимными контактными шинами так, что контакты табло располагаются против подготовленных контактов платы, и при 150 С приводят их спекание.

Таким способом изготавливают цифровые и буквенные индикаторы, микросхемы.

Формула изобр етени я

Способ изготовления электролюминесцентного экрана по авт. св.

9580772,отличающийся

40 тем, что, с целью увеличения размеров контрастного табло с воэможностью одновременного включения большого числа элементов, торцы и одну из сторон профилированных стержней защища45 ют диэлектри ком, стержни уст ан авливают в пакет в порядке, образующем в сечении, перпендикулярном оси стержней, необходиьые элементы табло, Составитель В. Гаврюшин

Реиактоо Т. Копоикеиа техиеа К.аотаиош Ко екто Г. Решетиик

Заказ 5 309/59 Тираж 92 3 Подпи сн ое

ЦБИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 P ская наб. д

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4