Контактный наконечник

Контактный наконечник

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИ

ИЗОБРЕТЕН И

К АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСТВ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 26.05,77 (21) 2493055/1 с присоединением заявки №(23) Прнорнте т

Опубликовано 15.04.79.Бюллетень

Дата опубликования описания 18.0

)ееудерстееннвй хеиетет

СССР ее делам язобретекек и юткрмтяк (72) Авторы изобретения

Л. И. Гурский, H. В. Румак, H. Б. Суханова, B. В. Кунавин и О, В. Зимин (71) Заявитель

Физико-технический BHGTHryr АН Белорусской CCP (54) КОНТАКТНЫЙ НАКОНЕЧНИК

Изобретение относится к устройствам для создания контакта с поверхностью полупроводниковой структуры при измерении вольт-фарадных характеристик.

Известен контактный наконечник для измерения электрических характеристик полупроводниковых структур, содержаший токопроводяший корпус с диэлектрическим внешним покрытием и токопроводяший стержень, выступающий из корпуса с одной стороны t 1). Контактируюшие поверх- О ности выполнены иэ токопроводящей резины и имеют сферическую форму.

Недостатком известного устройства при использовании его для измерений вольт-фарадных характеристик: является

15 .необходимость нанесения слоя диэлектрика толшиной 1500 А на всю поверхность полупроводниковой пластины. Процессы создания на поверхности полупроводника тонких диэлектрических слоев приводят к .

20 значительным перераспределениям приме. сей в полупроводнике и к изменению свойств поверхности полупроводника. Кроме того, сам процесс нанесения тонкой диэлектрической пленки на новерхность полупроводника довольно трудоемок. Применение диэлектрических cnoes с толщиной 1500 А приводит к значительному сужению диапазона измерения вольтфарадной характеристи ки, так хак необходимо выполнение определенного соотношения между емкостью диэлектрика и емкостью области пространственного заряда полупроводника.

Е:ель изобретения - расширение функциональных возможностей и повышение надежности - достигается тем, что в контактном наконечнике для измерения электрических характеристик полупроводниковых структур, содержащем т окопроводяший корпус с нанесенным на его поверхность ,диэлектрическим покрытием и токопроводяший стержень, на токопроводяший стержень нанесен диэлектрический слой, в качестве которого использована пленка двуокиси кремния.

Описываемый контактный наконечник изображен на чертеже.

657373

Составитель Л. Прокопенко

Редактор Н. Коган Техред Л. Ап4еоова Корректор С. Патрушева

Заказ 1788/45 Тираж 1089 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раущская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патен г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Он состоит из токопроводящего корпуса 1 с диэлектрическим внешним покрытием 2 и токопроводящего стержня 3, выступающего из корпуса с одной стороны, покрытого диэлектрическим слоем 4 дву- Б окиси кремния, толщина которого составляет 1500 А с учетом конкретных задач исследования.

Формула изобретения

1. Контактный наконечник для измерения электрических характеристик полупроводниковых структур, содержащий токопроводяший корпус с нанесенным на его поверхность диэлектрическим покрытием и токопроводящий стержень, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью расширения функциональных воэможностей и повышения надежности, на токопроводящий стержень нанесен диэлектрический слой.

2. Контактный наконечник по и. 1, о тл и ч а ю шийся тем,что в качестве диэлектрического слоя использована пленка двуокиси кремния.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. Авторское свидетельство СССР

М 396635, кл. G 01 12 27/00, 1972.