Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытаниях на вторичный пробой

Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытаниях на вторичный пробой

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ййтбич H ., иск®й иб я н<г т <: 1:.;:.::.:.::-: A, ОП ИСА

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистииеских

Республик (11 685992

К АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 26.07 77 (21) 2516519/18-25 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— (51) М. Кл .

G01 К31 26

Государственна!й кемитет

СССР па делам нзабретеннй н открытей

Опубликовано 15 09 79. Бюллетень ¹ 34 (53) УДК 621.382. .3(088 8j

Дата опубликования описания 25 09.79 (72) Автор изобретения

A. H. Рабодзей (7i) Заявитель (54) СПОСОБ ЗА1ЦИТЫ МОЩНЫХ ВЫСОКОВОЛЬ П-1ЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ

HA ВТОРИЧНЫЙ ПРОБОЙ

Изобретение относится к электронной технике и может оыть использовано при контроле, испытании и измерении электрических параметров и характеристик мощных высоковольтных транзисторов, в частности для за!циты их от разрушения при испытаниях на вторичный пробой. Известные способы за!циты транзисторов от вторичного пробоя основаны на прекращении воздействия электрического режима на испытуемый прибор в момент времени, предшествующий началу вторичного пробоя. При этом начало вторичного пробоя может фиксироваться путем контроля работы испытуемого прибора по его инфракрасному излучению (1).

Однако данный способ применим лишь для испытания бескорпусных транзисторов.

Кроме того, его осуществление требует использования сложной аппаратуры контроля.

Известен способ определения начала вторичного пробоя по резкому увеличению уровня высокочастотных шумов испытуемого транзистора (2).

Недостатком данного способа является низкая помехоустойчивость, определяемая малым уровнем измеряемых высокочастотНЫХ ШУМОВ, ЧТО i!Pli!3«Д!!Т i< ll< «L <О !И.° : .<)С !1

HCfl01b30BBHHH С,!0>К!!Ой ВЫСО!i«H!. !1 . Г".:«1!;: нОЙ аппарату pbl.

Известен также способ «предел< .!ия и;1чала вторичного пробоя 1!О резко)!, . <е, li1чению тока кол.

Недостатком данно, 0 с!!<)0.)i)а явл е; малая эффективность за!ц 1 ь), с;1ыт, е,i«го транзистора, Оире .< льем а» бысгp«деllствием ключевых I стройс)::. «тклк; .; ИО-!

ЦИХ его В Моме!г! Н;1сТх iI)«ilil)! Вl.к!!Осз и разрушения ис!!ыт емо10;!рибора В»<)мент развития вторичного ироооя.

Целью изобрете!шя являетс», Вес!Нч<.;I!

Указанная цель достигае!ся тем, что l;0 предлагает!03!у сг!Осооу кон —,pî.IIIðóþò изменение тока базы !Испытуемого транзистор;i ю вс времени при фиксированном токе эмиттеРа и IIPei PauraI0T ВО. 3де!<отвис a,I< HTPH

685992

Формула изобретения

Составитель И.Музанов

Редактор И.Шубина Техред О. Луговая Корректор Н. Степ

Заказ 5453/46 Тираж 1090 Подписное

ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

I I 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал П П П «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4

В основе описываемого способа защиты мощных высоковольтных транзисторов от вторичного пробоя лежит зависимость коэффициента прямой передачи транзистора от температуры и плотности тока в структуре кристалла, причем характер этой зависимости различен для обоих факторов.

При фиксированном токе и напряжении коллектора тра нзистора под воздействием электрического режима происходит разогрев кристалла и коэффициент прямой передачи транзистора монотонно увеличивается, что сопровождается уменьшением тока базы.

При определенном электрическом режиме разогрев структуры кристалла транзистора из-за наличия в ней неоднородностей приводит к локализации тока коллектора и изменению плотности тока, протекаюшего через структуру прибора.

Это, в свою очередь, приводит к значительному уменьшению коэффициента передачи транзистора и, соответственно, к нарушению монотонности изменения тока базы испытуемого транзистора, а именно к изменению знака производной тока базы по времени. Г1родолжение воздействия электрического режима приводит к саморазогреву локализованной области структуры и, как результат, к вторичному нробою транзистора. У тех экземпляров приборов, которые не выдерживают испытаний, наблюдаются эффекты, приводящие к развитию вторичного пробоя. Фиксация начала

4 вторичного пробоя и своевременное прекращение воздействия электрического режима на испытуемые приборы исключает возможность их разрушения в процессе испытаний и позволяет разбраковывать транзисторы не только по принципу «годен-негоден», но и по величине пробивного напряжения.

Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытаниях на вторичный пробой путем прекрашения воздействия электрического режима на испытуемый прибор в момент времени, предшествующий началу вторичного пробоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности защиты, контролируют изменение тока базы испытуемого транзистора во времени при фиксированном токе эмиттера и прекращают воздействие электрического режима в момент прохождения мгновенного значения производной тока базы через ноль.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США ¹ 3867697, л кл. G 01 R 31/26, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР № 554512, кл. G 01 R 31/26, 1975.

3. Авторское свидетельство СССР № 251094, кл. G 01 R 31/26, 1966(прототип).