Мишень накопительной электроннолучевой трубки

Мишень накопительной электроннолучевой трубки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик »696дбО

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15.05.78 (21) 2615199/18-25 (g() Щ f(q

Н 01 J 29/10 с присоединением заявки Ж

Государственный номнтет

СССР па делам изобретений н атнрытнй (23)ПриоритетОпУбликовано 05 11. 79. Бюллетень 43.

Дата опубликования описания 08.11.79 (53) УДК 621.Э85. .882(088 8) Б. E Дегтева, Г. A. Шариков, A. Ф. Полунина и И. И. Гурова (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) МИШЕНЬ НАКОПИТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ

ТРУБКИ

Изобретение, относится к запоминающим электроннолучевым приборам, в которых для записи или локального стирания информации на мишени создают электронно-возбужпенную проводимость. Та

5 кие приборы, например графекон, должны иметь длительное время считывания выходного сигнала без дополнительного цикла стирания остаточных сигналов.

Известна мишень накопительной элект- .1О роннолучевой трубки, выполненная на основе пористого слоя диэлектрика с возбужденной проводимостью (ZoS с добавками активирующего металла (Cu,Мтт)

15 " 11), Недостатком такой мишени является относительно малое время считывания выходного сигнала.

Известна также мишень накопительной электроннолучевой трубки с возбужденной проводимостью, содержащая на металлической сетке слой алюминия, слой окиси алюминия и слой сульфида цинка

$2). Эта .мишень имеет также малое время считывания выходного сигнала и большой уровень остаточного сигнала.

Цель изобретения - увеличение времени считывания выходного сигнала и снижение уровня остаточного сигнала.

Указанная цель достигается тем, что между слоем окиси алюминия и слоем сульфида цинка размещен слой диэлектрика с возбужденной проводимостью из твердого раствора сульфида цинка — сульфида кадмия при следующем содержании компонентов, %:

Сульфид кадмия 1 0-20

Сульфид цинка = 90-80 толщиной, составляющей 25-507 толщины диэлектрического покрытия.

На чертеже показана предложенная мишень, разрез.

Мишень содержит подложку 1, представляющую собой тонкую алюминиевую пленку толщиной 300-500 А, обычно наносимую термическим испарением в вакууме на никелевую сетку 2. На под696560

Составитель B. Белоконь

Ре а Т О вс а Те Л. Алферова М. По

Заказ 6786/54 Тираж 923 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ложке расположен слой 3 окиси алюми о ния толщиной 50-80 А, создаваемый окислением алюминиевой пленки при термообработке в кислородсодержащей среде в процессе удаления коллодиевой пленки или окислением в плазме тлеющего разряда в кислороде.

Слой 4, непосредственно примыкающий к подложке с пленкой окиси алюминия, представляет собой вакуумно-осаж- 10 . денный слой твердого раствора сульфида цинка - сульфида кадмия (содержание сульфида кадмия 10-20%) .

Слоем 5 является слой сульфида цинка, также вакуумноосажденного. 15

Общая толщина диэлектрического покрытия составляет 0,4 — 0,6 мкм. Толщина промежуточного слоя 4 составляет

25-50% толщины диэлектрического покрытия.

Использование предложенной мишени позволяет увеличить время считывания выходного сигнала прибора при отсутствии остаточного сигнала, расширить сфе25 ру применения графекона, упростить и повысить надежность радиоаппаратуры, в которой используется прибор, а также облегчить работу операторов.

Формула изобретения

Мишень накопительной электроннолучевой трубки " возбужденной проводимостью, содержащая на металлической сетке слой алюминия, слой окиси алюминия и слой сульфида цинка, о т л ичающаяся тем,что,сцельюувеличения времени считывания выходного сигнала и снижения уровня остаточного сигнала, между слоем окиси алюминия и слоем сульфида цинка размещен слой диэлектрика с возбужденной проводимостью из твердого раствора сульфида цинкасульфида кадмия, при следующем содержании компонентов, %:

Сульфид кадмия l 0-20

Сульфид цинка 90-80 толщиной, составляющей 25-50% толщины диэлектрического покрытия.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Англии N 962084, кл. Н 1,Ь опублик. 1970.

2. Патент США М 3480482, кл. 315-68, опублик. 1974 (прототип).