Способ получения кристаллического материала
Реферат
1. Способ получения кристаллического материала, включающий напыление ионов материала на холодную подложку, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры плавления материала и повышения диффузионной подвижности атомов, напыление проводят с энергией 0,1 - 1000 эВ с одновременным облучением поверхности растущей пленки атомами гелия с энергией 50 - 1000 эФ.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температуру подложки поддерживают от 4,2 К до 0,3 температуры плавления металла.