Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа iiibv

Реферат

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа A^IIIB^V путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30^o от номинального значения за время, равное отношению размера выращиваемой мезаструктуры к скорости относительного перемещения.