Способ обработки поверхности полупроводниковых структур

Способ обработки поверхности полупроводниковых структур

Реферат

Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают с поверхности, имеющей минимальную ширину запрещенной зоны, и в процессе травления на поверхность структуры воздействуют электромагнитным излучением, максимальная энергия квантов которого лежит в интервале от минимального до максимального значения ширины запрещенной зоны исходной структуры.