Пинтус С.М.

 Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают...

 Способ селективного травления полупроводниковых структур, включающий травление участков полупроводникового кристалла в растворе электролита при приложенном напряжении, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик приборов путем селективного травления без маскирования, травление проводят при напряжении ниже порогового на 0,5-10 В при дополнительном в...