Способ селективного травления полупроводниковых структур

Способ селективного травления полупроводниковых структур

Реферат

Способ селективного травления полупроводниковых структур, включающий травление участков полупроводникового кристалла в растворе электролита при приложенном напряжении, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик приборов путем селективного травления без маскирования, травление проводят при напряжении ниже порогового на 0,5-10 В при дополнительном воздействии на структуру лазерным излучением мощностью оптического излучения 1-100 вт/см² с энергией фотонов, по крайней мере на 0,1 эВ большей ширины запрещенной зоны полупроводника.