Состав для удаления фоторезиста

Патент 783891

Авторы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистмческих

Республик ю 783891 (61) Дополнительное к авт. свмд-вувЂ” (22) Заявлено 211278 (21) 2709158/18-21 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 30.1180. Бюллетень № 44 (51)м. к.

Н 01 L 21/312

Н 05 К 3/26

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621.396.6-181.48(088.8) Дата опубликования описания 10. 12. 80 (72) Авторы изобретения

Л.И.Максимова и Н.В.Кутьина (71) Заявитель (54) СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к производству полупроводниковых приборов, и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении пленки фоторезиста с поверхности подложки.

Известен состав для удаления .по- зитивного фоторезиста на основе нафтохинондиазида на основе различных органических растворителей (диоксана, диметилформамида) (11 .

Существенным недостатком при использовании этого состава является длительность снятия фоторезиста тем большая, чем выше необходимая температура задубливания фоторезиста.

Кроме того, требуются дополнительные затраты времени на очистку подложки от остатков фоторезиста, поверхностно-активных веществ, остатков кислот, так как подобные загрязнения либо вызывают изменение параметров приборов, либо уменьшают адгезию последующих формируемых слоев.

Известен также состав для удаления фоторезиста, содержащий этанол . и воду (23 .

Использование такого состава также приводит к большой длительности процесса удаления фоторезиста.

Цель изобретения вЂ” повышение производительности процесса.

Поставленная цель достигается тем, что состав для удаления фоторезиста, содержащий этанол и воду, дополнительно содержит хлористый калий при следующем соотношении исходных компонентов, вес.Ъ:

Этанол 33-66

Хлористый калий 0,9-1,1

1 Вода остальное.

Состав используется в качестве электролита при удалении задубленного фоторезиста на основе нафта3) хинондназида путем электролитической обработки подложки при подключении к ней отрицательного потенцнала.

При наложении электрического по25 ля на систему обрабатываемая подложка - раствор ; вспомогательный электрод создается направленная ориентация ионов растворителя по отношению к электродам и обеспечивается

3Р равномерная диФфузия к слои фото783891

Формула изобретения

Составитель О.Павлова

Редактор T.Ðûáàëîâà Техред .р1.Ïåòêo Корректор Г.Назароэа

Заказ 8562/57 Тираж 844 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 резиста, а также улучшается смачиваемость фоторезистивной пленки.

Этиловый спирт и вода относятся к типу протонных растворителей, со» держащих группы, в который атомы водорода связаны с электроотрицательными атомами. Благодаря атомам водорода они являются донорами водорода при образовании водородных связей. Поскольку их диэлектрическая проницаемость больше 15, э раствор необходимо добавить хлористый калий в качестве электропроводящей добавки.

Ионы К взаимодействуют с пленкОй фоторезиста, при этом происходит послойное вымывание резистивных Сло» ев .. 1$

Разница во времени удаления фоторезиста для граничных пределов укаэанного э формуле соотношения составляет не более 20%. Преимущественным является соотношение, веса: ф

Этанол 49,5

Хлористый калий 1,0

Вода " 49,5

Необходимая плотность тока при электролитической обработке,от 0,3 до 1 мА/см . при плотности тока менее 0,3 мА/см начинается поСтепенное окисление поверхности.

Пример 1 . На обезжиренную подложку GaAs c напыленной пленкой 3

AuGe-Аи наносят пленку фоторезйста

РН-7 толщиной 1 мкм. Сушат в тЕче-. ние 30 мин при 90 С. После сушки экспонируют и проявляют полученный рисунок. Затем пленку с рисунком задубливают при 140 С в течение 45 мин.

После задубливания фоторезиста проводят травление пленки AuGe-Au. Последняя операция фотолитографииудаление пленки фоторезиста с по- 4О верхности образца.

Помещают образец в электролитическую ванну; содержащую электролит состава,вес.Ъ: Ci Н ОН:Н О:КС -49,5:

:49,5:1. K подложке подключают отрицательный потенциал. В качестве анода используют стальную пластину. Необходимая плотность тока 0,75 мА/см время удаления составляет 14 мин.

Пример 2. Начало технологического процесса соответствует примеру 1. Берут раствЬритель состава, веС. Э: С Н6ОН: Н О KCR = 33

66,1 : 0,9. К подложке подключают отрицательный потенциал, плотность тока 0,3 мА/см, время удаления фотореэиста составляет 15 мин 10 с.

Пример 3. Начало технологического процесса соответствует примеру 1. Берут растворитель состава, вес.Вг С Н ОН : Н О : КСВ = 66

32,9 : 1,1. К подложке подключают отрицательный потенциал, плотнбсть тока 1 мА/см, время удаления фоторех зиста составляет 12 мин 30 с.

ИспоЛъзование данного состава для удаления позитивного фоторезиста позволяет сократить время снятия резиста не менее, чем в 8 раз. После удаления гэзиста дополнительной очистки поверхности не требуется.

Фоторезист можно удалять с поверхности полупроводниковой подложки п-.òèïà, с поверхности полупроводниковой подложки -типа с подслоем металла, с поверхности металлического шаблона и т.п. Особенно эффективен способ при использовании его B процессе обратной ("взрывной") фотолитографии.

Использование изобретения повышает разрешающую способность, улуч- шает качество края рисунка за счет направленного удаления и вследствие этого за счет отсутствия волокон недоснятого реэиста.

Состаэ для удаления фоторезиста, содержащий этанол и воду, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью поэышения производительности процесса, он дополнительно содержит хлористый калий при следующем соотношении исходных компонентов, вес.%:

Этанол 33-66

Хлористый калий 0,9-1,1

Вода Остальное ..

Источники информации, принятые во.внимание при экспертизе

1. Лаврищев В.П. Введение в фотолитографию, М., 1977, с. 250.

2. Авторское свидетельство СССР..

9 467313, кл. G 03 F 7/10, 11. 11.73 (прототщт).