Керамический конденсаторный материал

Керамический конденсаторный материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

785273

Ь

1

9 (61) Дополнительное к авт. свиЛ-ву (22) Заявлено 2 9. 12.78 (21) 2704739/2 9-33 (51 ) И. Кл.

С 04 В 35/ОО с присоединением заявки №

Гооударстееииый комитет (23) Приоритет ео делам изооретений и открытий

Опубликовано 07.12.80. Бюллетень ¹ 45

Дата опубликования описания07.12 80 (53) УДК621.315..612(088.8) (72) Авторы изобретения

Х. С. Валеев, И. Х. Мороз, А. Ф. Миронова и Э. Г. Гарбуз (71) Заявитель (54) КЕРАМИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОРНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к производству керамических материалов, предназначенных для использования в радиоэлектронике и электротехнике для изготовления низковольтных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью.

Известен керамический материал, приготовленный на основе титанатов, станнатов, цирконатов бария, стронция, марганца, кальция и их твердых растворов с различными добавками окислов, таких, как окислы редкоземельных элементов, висмута, кремния (1).

Наибол е близким к изобре нию явля-15 ется материал (21, приготовленный на ос нове окиси цинка с добавками окислов (мол.% сверх 100%):

Вт 0 0,01-10

Се o 0,01-1О во О, 05-5

ВаО 0,01-5

Т4 Од О, 01-5

Х т10 Остальное

Указанный материал характеризуется невысоким значением диэлектрической проницаемости, не позволяющим использовать его в качестве конденсаторного.

Белью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости.

Поставленная цель достигается тем, что керамический конденсаторный материап, включающий окись цинка, окись бария, окись титана и окись висмута, дополнительно содержит окись ниобия, при следующих соотношениях компонентов, вес.%:

2тз О 9 1,66-97,6 1

Ва0 1,40-4,74

Т 0 Ое662128

В О, . 0,21-0,84

Я Ь 10з Оф 12-Oå48

Материал приготовляют по общепринятой керамической технологии. Образцы

gJIsI испытания в виде прессованных дисков обжигают в электрической силитовой печи при 1280-1350 С с выдержкой при конечной температуре в течение 2 ч.

785273

В табл. 2 представлены данные по из:менению частоты E и 1 д8 и зависимости от изменения частоты. Лля этого испытуемые обррзцы диаметром 16-17 мм и толщиной 3,6-4,0 мм обжигают при о

1300 С. Электроды наносят вжиганием 10 серебросодержашей пасты.

Состав, вес,% электрич оницаемо

1 кГц ь,о

9l,66 4,74 2,28 0,84 0,46

27000

0,1

96»03 2ю32 1 09 0»36 0»20

0,1

97,6 1 1,40 0,66 0,2 1 О, 12

0,09

Таблица 2

Частота, кГц

10 20

Е 40800 35900 34200 32600 31500 29600 о 0,146 .0,106 0,094 0,082 0,060 0,045

Я 70000 52600 47600 44000 41800 38800

Ь 6 О,109 О, 084 0,076 0,068 0,06 0,05

Е 42400 37 100

0,145, 0,107

35800 34100 33250 31500, 0,094 0,082 0,08 0,045

Формула изобретения

Керамический конденсаторный материал, включаюший окись цинка, окись бария„ окись титана, окись висмута, о т л и ч а50 ю ш и и с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, дополнительно содержит окись ниобия при следующем соотношении компонентов, вес,%:

Окись цинка 91,66-97,6 1

Окись бария 1,40-4,74

ВНИИПИ Заказ 8751/23 Тираж 671 Подписное

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Эпектрические свойства керамического конденсаторного материала в зависимости от состава привецепы в табл. 1.

Измерения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь проводят на мосте

Р-571 с внешним генерат<,ром ГЗ- 3<> на частотах 1-50 кГц.

Керамический конденсаторный материал с oBtBMQTfbKbtM cocTQBoM обладает значительно более высокой диэлектрической проницаемостью, чем известные керамические : материалы, используемые для изготовления низкочастотных конденсаторов. Применение полученного материала в микросхемах автоматизации обшего назначания позволяет уменьшить габариты изделий путем повышения удельной емкости и уменьшения размеров конденсаторов в два раза по сравнению с известными.

Таблица 1

Окись титана 0,66-2,28

Окись висмута 0,21-0,84

Окись ниобия О, 12-0,48

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

И» 438628, кл. С 04 В 35/00, 1972, 2. Патент Великобритании ¹ 1400344, кл. С 04 В 35/00, опублик. 1975 (прототип) .