Способ измерения тепловой постояннойвремени переход-корпус полупровод-никовых приборов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистически»
Республик (1 )808831
Ф
Ф (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву
Ъ (22) Заявлено 24.05.79 (2l ) 2769789/18-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет
Опубликовано 28.02.8) ..Áþëëåòåíü М 8 (5l }M. Кл.
9 01 В 5/18
Государственный квинтет (53) УДК 5з2..
° 1 З7 (088. 8 ) по делам нзобретеннй н вткрытнй
Дата опубликования описания 15.03.81
Щ
1,, B. A. Сергеев, H. Н. Горюнов и A. А. Широк эв (72) Авторы изобретения
Ульяновский политехнический институт (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОЙ ПССТОЯННОЙ
ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
П РИБОРОВ
Изобретение относится к технике измерения параметров полупроводниковьц приборов и может быть использовано для оценки качества и предельных возможностей приборов в различных режимах эксплуатации.
Известен способ измерения тепловых постоянных времени полупроводниковых приборов по кривой остывания. В этом способе кривая остывания снимается с экрана осциллографа, строится в полу36 логарифмическом масштабе и аппроксимируется отрезками прямых линий, точки пересечения которых определяют набор тепловых постоянных времени прибора(1).
Недостатками известного способа являются низкая точность, большое время измерения, отсутствие непосредственного отсчета измеряемой величины.
Наиболее близким к предлагаемому является способ измерения тепловой постоянной времени переход †корп мощных полупроводниковых приборов, заключаюшийся в измерении с помощью интегрального ИК-радиометра потока
ИК-излучения с поверхности полупроводникового прибора при подаче на него разогревающей мощности (2g.
К недостаткам этого способа относятся низкая точность измерения и отсутствие непосредственного отсчета измеряемой величины.
Цель изобретения — повышение точности измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов.
Указанная цель достигается тем, что в способе измерения тепловой постоян ной времени переход.корпус полупроводниковых приборов путем измерения с помощью интегрального ИК вЂ” радиометра потока ИК-излучения с поверхности полупровод никового прибора при подаче на него разогревающей мощности, подаваемую разогревающую мощность изменяют по т гармоническому закону с частотой, близкой к величине обратной тепловой посто янной времени переход-корпус и по от1
808831
Составитель В. Зайченко
Техред Ж.Кастелевич
Корректор Н. Бакинец
Редактор Е, Спиридонова
Заказ 391/41 Тираж 653
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5
Подписное
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ношеюио сигналов с ИК-радиометра, измеренных при двух различных частотах изменения разогревающей мощности, определяют тепловую постоянную времени переход-конус.
На чертеже представлена функциональная схема устройства, реализующего предлагаемый способ для мощных транч эисторов.
Устройство содержит блок 1 питания, исследуемый транзистор с коллектором
2, базой 3 и эмиттером 4 включенный например, по схеме с общим эмиттером без нагрузки в коллекторной и эмиттерной цепи и генератор низкой частоты 5, подключенный к базе исследуемого транзистора интегральный ИК-радиометр 6, подключенный ко входу селективного вольтметра 7.
Способ обеспечивает возможность непосредственного контроля. исследуемых характеристик полупроводниковых приборов.
Формула изобретения
Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводни4 ковых приборов путем измерения с помощью интегрального ИК-радиометра потока ИК-излучения с поверхности полупроводникового прибора при подаче на него раэогревающей мощности„о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения, подаваемую разогревающую мощность| изменяют по гармоническому закону с частотой близкой к величине обратной тепловой постоянной времени переход-корпус и по отношению сигналов с ИК-радиометра измеренных при двух различных частотах изменения разогревающей мощности, определяют тепловую постоянную времени переход-корпус.
Источники ицфор мации, принятые во внимание при экспертизе го
1. Николаевский И. Ф., Игумнов Д. В.
Параметры и предельные режимы работы транзисторов М., Советское радио" 197 1, с. 154 — 159.
2. Конструкции корпусов и тепловые г5 свойства полупроводниковых приборов.
Под ред. Н. И. Горюнова М., "Энергия, 1972, с. 34.