Резистивный материал

Резистивный материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

Республик

834778

Ф

Я

I (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 0706.79 (21) 2778023/18-21: с присоединением заявки Йо (23) Приоритет

Опубликовано 30.05.81. Бюллетень Н9 20

Дата опубликования описания 300581

{5l)M. Ка.

Н 01 С 7/00

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (53) УД3(621. 316. 8 (088.8) В.Л.Волкова, A.С.Гудков, Г.A.Максимцова, .В.В.Вогаткова и Ю.И.Котов (72) Авторы изобретения

Ряхин,, (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

40-80

0,1-20

0,1-20

0,1-5,0

Остальное 21

Хром

Железо

Никель

Алюминий

Смесь окислов

Изобретение относится к радио|электронике и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных резисторов. . Известен резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, состоящий из хрома и смеси окислов. На основе этого материала путем термического испарения в вакууме можно получать резистивные пленки с малыми значениями температурного коэФфициента сопротивления (ТКС) 11 .

Недостатком указанного материала является узкий диапазон получаемых удельных сопротивлений с малыми значениями ТКС. Так, при удельных сопротивлениях менее 100 Ом/су возрастает величина абсолютных значений ТКС, а при удельных сопротивлениях выше 1 кОм/ц возникает трудность получения малых значений ТКС в связи с сильной зависимостью к и

ТКС от режимов испарения резистивного материала и температуры отжига резистивных пленок.

Наиболее близким к предлагаемому является резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий хром, железо, никель, алюминий и смесь окислов с со- отношением ингредиентов, вес.Ъ:

Однако этот материал характеризуется низкой термостойкостью. В связи с тем, что для получения малых значений ТКС резистивных пленок с удельным сопротивлением Я менее

200 Ом/д иногда необходимо проводить их отжиг при высоких температурах (свыше 450 С), при этом ввиду низкой термостойкости резистивного материала при таком высокотемпературном .отжиге на поверхности резистивной

20 пленки образуется большое количество дефектных пятен, которые приводят к резкому ухудшению стабильности резисторов. Низкая термостойкость„- укаэанного резистивного материала не дает возможности его использования ,для получения резистивных пленок с ,удельным сопротивлением свыше

200 Ом/g, так как малые значения

ТКС таких пленок могут быть получены только при отжиге их при температуре

834778 свыше 450 С, .z.е. в области температур, где всегда наблюдается образоваание дефектных пятен, приводящих к ухудшению стабильности резисторов.

Цель .изобретения — повышение термостойкости.

Для достижения указанной цели в известном резистивном материале для изготовления тонкопленочных резисто.— ров, содержащем хром, железо, алюминий, двуокись кремния и алунд, исходные компоненты взяты в следующем соотношении, вес.Ъ:

Хром

Железо. 8-25

8-50

Остальное

Алюминий

Двуокись кремния

Алунд

10-80

3-20

Хром Железо Алюми- Двуокись Алунд у, Ом D TKC, 10 1/ С ний кремния

Смеси 10 — 100

1 75

2 30

3 10

2 3-30

8 200-500 +10 — 100

30

12 3000-10000 ?10 — 100

Формула изобретения

10-80

3-20

8-25

8-50

Остальное

Хром

Железо

Алюминий

Двуокись кремния

Алунд

1. Авторское свидетельство СССР

9352319, кл. Н 01 С 7/00., 1969.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 520628, кл. Н 01 С 7/00, 1976 (прототип) .

Тираж 784

ВНИИ ПИ 3 ак аз 4 11 2/79

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Получе:.IH планок из резистивного материала проводится в установке )О вакуумного .напнлен?1я при вакууме

10 4-. 10 Тор. B камеру напыления вертикально помещаются два вольфра мовых испарителя, один иэ которых с нанесенным на него резистивным . 35 материалом, а другой чистый, беэ резистивнсго материала. Вокруг испарителей размещ:ются основания резис. торов, наниэанпые на металлические спицы, которые враща?1тся вокруг своей АО

Оси и одноврем(?1но ВО1(руг испарителей, чтобы дос..ичь равномерного процесса формиро?зания пле?п(и на всей поверхности каждого основания резистора и одинаковых условий осаждения пленок для оснований резисторов, находящих<..я на разных спицах.

Реэистивные пленки, получаемые после термического испарения в вакууме предлагаемого реэистивного материала, обладают высокой термостой- 50 костью, что позволяет проводить их отжиг для получения малых значений

TKC при высоких температурах (до

6 0 С) без образования дефектных пятен на поверхности. Повышенная термостойкость прздлагаемого резистивного материала обеспечивает получение

Для получения резистивного материала подготовлены три смеси с различным содержанйем исходных компонентов, которые после термического испарения в вакууме и последующего отжига полученных пленок при температурах от 400 до 600 С дают

,воэможность получать тонкопленочные резисторы с характеристиками, приведенными в таблице. тонкопленочных резисторов с малым значением ТКС в широком диапазоне удельных сопротивлений от -30 до

10 кОм/и

Резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, содержащий хром, железо, алюминий, двуокись кремния и алунд, о т л и— ч а ю шийся.тем, что, с целью повышения термостойкости, он содержит исходные компоненты в следующем соотношении, вес.Ъ:

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе