Способ относительного измеренияпараметра решетки монокристаллов

Способ относительного измеренияпараметра решетки монокристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистичвских

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<п>842519 (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 17.08.79 (21) 2810247/18-25.(51)М. Кл. с присоединением заявки йо

G 01 N 23/20

Государственный комитет. СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет 13.07. 79

Опубликовано 300681 Бюллетень N9 24 (53) УДК 621. 386 (088.8) Дата опубликования описания 30. 06. 81

В.В. Лидер (72) Автор изобретения

Ордена Трудового Красного Знамени инстит кристаллографии им. A.B. Шубникова AH СССР, (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОТНОСИТЕЛЬНОГО ИЗМЕРЕНИЯ

ПАРАМЕТРА РЕШЕТКИ МОНО "РHCTAJIJIOB

Изобретение относится к рентгено-. дифракционным методам анализа монокристаллов и может быть использовано для неразрушающего экспрессного контроля совершенства кристаллов, Известен способ относительного измерения параметра решетки, заключающийся в том, что на двухслойный образец под брэгговским углом направляют рентгеновский пучок от .монохроматора и регистрируют два дифракционных максимума, соответствующие исследуемому и эталонному слою Г11 .

Однако относительная точность 15 способа ограничена шириной области отражения кристалла и не превышает

10 -10, что обусловлено применением однолучевой дифракции.

Известен также способ, при кото- 20 ром.на одну сторону исследуемого образца направляют два рентгеновских пучка, отраженных от монохроматора, служащего эталоном, и, вращая образец, регистрируют два дифракционных 25 максимума. Поскольку в данном способе возможна раздельная регистрация дифракционных максимумов, относительная точность может быть не менее

10 т-10 в Г21. 30

Наиболее близким к предлагаемому является способ, заключающийся в облучении плоскопараллельного образца с двух сторон двумя рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров,повороте исследуемого кристалла и регистрации двух дифракционных максимумов, соответствующих отражениям от противоположных сторон образца <3 .

Однако необходимость использования в этом способе эталонного кристалла, изготовленного из материала образца с той же ориентировкой значительно сужает круг исследуемых объектов, а необходимость учета поправок на рефракцию рентгеновских лучей и необходимость высокой стабилизации поддержания температуры образца и эталона существенно усложняет. технику выполнения измерений.

Цель изобретения — упрощение относительного измерения параметра решетки с одновременным сохранением высокой точности.

Поставленная цель достигается тем, что в способе относительного измерения параметра решетки монокристаллов, включающем облучение плоскопараллельного образца с двух

842519

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 5056/45 Тираж 907 Подписное

Филиал ППП "Патент", r.Óæãoðîä, ул.Проектная,4 сторон двумя рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров, повОрот исследуемого кристалла и регистрацию двух дифракционных максимумов,,соответствующих отражениям от противоположных

5 сторон образца, последний выполняют двухслойным со слоем изучаемого материала на одной стороне и эталоном на другой, а пучки, облучающие образец, направляют навстречу друг другу.

На чертеже изображен кристалл-монохроматор.

П-образный кристалл-монохроматор

1 содержит помещенный внутрь его прорези двухслойный образец 2, два источника 3 и 4 рентгеновских лучей и два детектора 5 и 6 дифрагированного излучения.

Способ осуществляется следующйм образом.

Для определения разницы периодов 20 решетки на противоположных сторонах монокристального образца 2 на них направляют встречные пучки рентгеновских лучей и осуществляют поворот образца вокруг оси вблизи отражающего положения. Регистрируя с помощью детекторов 5 и 6 ифракционные максимумы, соответствующие отражениям

hkl u hkl от противоположных сторон образца, измеряют угол его поворота между этими позициями, который позволяет вычислить относительную разницу периодов Ь а/а.

Предлагаемый способ позволяет определять Разницу периодов Решет 35 ки с точностью не менее 10 -10 и производить эксперссный контроль совершенных монокристаллов, например полупроводниковых приборов.

"пособ относительного измерения параметра решетки монокристаллов, включающий облучение плоскопараллельного образца с двух сторон двумя рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров, поворот исследуемого кристалла и регистрацию двух диффракционных максимумов, соответствующих отражениям от противоположных сторон образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа при сохранении его высокой то4ности, образец выполняют двухслойным со слоем изучаемого материала на одной стороне и эталоном на другой, а пучки, облучающие образец, направляют,навстречу друг другу.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Смирнов И.H. Исследование деформации в монокристаллах кремния после ионного внедрения. — "Электронная техника". Сер. 3 (Микроэлектроника). 1975, вып.4 (58), с. 120.

2. Ковальчук М.В. и др. Рентгеновский трехкристальный спектрометр и прецизионное определение д dh

"Кристаллография". 1975, Р 20,с.142.

3. Hart М. High precision lattice

parameter measutements by multiple

Bragg reflection diffractometry"

"Proc. Roy. Socn., 1969, А 309, 281.