ЛИДЕР ВАЛЕНТИН ВИКТОРОВИЧ
Изобретатель ЛИДЕР ВАЛЕНТИН ВИКТОРОВИЧ является автором следующих патентов:

Рентгеновская приставка к электронному микроскопу
ВСаСОЮЗР1АЯ ВАЯ1т1 ; (ь и.;pgpg. фебиййаещ ффр„ф! Соооэ Советских Социалистимеских Республик ОП ИСАНИ Е (1 1) 442399 ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСНШтоУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено Ю.05.72 F21)I782328Щ. (б1) щ. кл. 9 (Иф23/2О Н K ЗУ/26 (я) Удк 627.386 (088.8) с присоединением заявки Гооудеротоонньй нометет Совета тенннстроа СССР по деяам нзооретенн...
442399
Способ относительного измеренияпараметра решетки монокристаллов
Союз Советских Социалистичвских Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 842519 (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 17.08.79 (21) 2810247/18-25.(51)М. Кл. с присоединением заявки йо G 01 N 23/20 Государственный комитет. СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет 13.07. 79 Опубликовано 300681 Бюллетень N9 24 (53) УДК 621. 386 (088.8) Дат...
842519
Способ определения радиуса кривизны монокристаллических пластин
Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу. Целью изобретения является увеличение чувствительности, точности и экспрессности. Способ основан на том, что при использовании асимметричного отражения из-за разницы в рефракции рентгеновских лучей дифракционный максимум на образце смещен относительно максимума, полученного от края образца. При этом кривая качания образца, «ку...
1245968
Способ двухкристальной рентгеновской топографии
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК А1 ИЮ (И) G 01 N 23/20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬС ГВУ Величина разрешения пропорциональна расстоянию образец — фотопластинка, а нри K = 1 мм (такое расстояние не следует считать минимально достижимым) оно может быть доведено до 1 мкм, что сравнимо с величиной эер- й. на мелкозернистых фотоэмульсий. В случае, когд...
1456857
Станция для синхротронной рентгеновской топографии
Изобретение относится к рентгенодифракционным исследованиям структуры кристаллов, а более конкретно к установкам для рентгеновской топографии с использованием синхротронного излучения. Цель изобретения - расширение круга решаемых задач и повышение точности. Для этого первый кристаллодержатель 2 с кристаллом-монохроматором 11 установлен с возможностью перемещения вдоль пучка по нап...
1571486
Способ трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу и может быть использовано для неразрушающего контроля качества полупроводниковых кристаллов. Цель изобретения - повышение чувствительности и экспрессоности. Сущность способа состоит в том, что при его реализации, в отличие от известной трехкристалльной схемы дифракции, используемый в ней второй монохроматор изготовляют таким обр...
1617344
Способ исследования взаимодействия поверхностных акустических волн с дефектами кристалла
Изобретение относится к области исследований поверхности твердого тела посредством дифракции рентгеновских лучей и может быть использовано при создании и контроле акустоэлектронных приборов, использующих поверхностные акустические волны. Целью изобретения является упрощение способа исследования и расширение области его применения для устройств с любыми частотами ультразвуковых во...
1716408