Мдп-варикап

Мдп-варикап

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

85З7О8

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 190979 (21) 2828610/18-25 з

Н 01 L 29/93 с присоединением заявки М— (23) Приоритет

Государственный комитет

С С С P но делам изобретений и открытий

Опубликовано 070881, Бюллетень 29 (53) УДК 621. 382 (088. 8) Дата опубликования описания 070881 (72) Авторы изобретения

Б.М. Колешко и A.A. Ходин (71 ) За яв и тель

Институт электроники AH Белорусской СС (54 ) МДП-ВАРИКАП

Изобретение относится к полупроводниковым приборам на основе МДПструктур и может найти применение при создании варикапов, обладающих гальванической развязкой управляющей и управляемой цепей.

Известны МДП-варикапы, имеющие двухэлектродную структуру металл— диэлектрик, — полупроводник 11. Они просты в исполнении, хорошо совмес10 тимы с планарной технологией, имеют высокие входное сопротивление и добротность и низкие шумы.

Недостаток таких приборов — электрическая связь между управляющей и 15 управляемой цепями.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является МДПварикап 2), содержащий полупровод« ник р-типа проводимости с электродами 20 расположенными на его противоположных сторонах, один из которых являе ся полевым.

Недостатком такого варикапа является сложность конструкции и технологического процесса при создании диэлектрического слоя, содержащего электрический заряд определенной величины, а также двух дополнительных электродов на этом окисле. 30

Целью изобретения является упрощение конструкции при обеспечении гальванической развязки управляющей и управляемой цепей.

Поставленная цель достигается тем, что в МДП-варикапе, содержащем полупроводник р-типа проводимости с электродами, расположенными на его противоположных сторонах, один из которых является полевым, непосредственно на полупроводнике рядом с полевым электродом образован дополнительный электрод на основе редкоземельных металлов, образующий с полупроводником выпрямляющий контакт с инверсным слоем.

На чертеже показан предложенный

МДП-варикап. ,Он содержит полупроводник 1 р-типа проводимости, электрод 2, диэлектрический слой (например Е г 0 ) 3 и металлический электрод 4, образующие полевой электрод, дополнительный электрод 5, выполненный, например, из эрбия сульфида европия.

Дополнительный электрод 5 выполняют на основе редкоземельных металлов (чистых редкоземельных металлов или сплава редкоземельных металлов или соединения редкоземельных метал853708

Составитель T. Вороженцева

Редактор Л. Утехина Техред С. Мигунова Корректор М. Демчик

Заказ 5684/28 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4! лов, обладающего металлической проводимостью, электрод 5 образует в контакте с полупроводником выпрямляющий контакт с инверсным слоем).

Управляющее напряжение подается на электроды 2 и 5. Емкость измеря,ется между электродами 4 и 5. Потенциал электрода 5 относительно электро да 2 является запирающим для потенциального барьера контакта редкоземельный металл — полупроводник. Управляющее напряжение изменяет величину инверсной области, образующуюся под электродом 5, тем самым изменяя емкость между электродами 4 и 5.

МДП-варикап по сравнению с известным прост в изготовлении, обеспечивает электрическую развязку управляющей и управляемой цепей. Большая высота потенциального барьера в контакте редкоземельный металл — полупроводник обеспечивает малые токи утечки и высокое входное сопротивление варикапа.

Формула изобретения

МДП-варикап, содержащий полупроводник р-типа проводимости с электродами, расположенными на его противоположных сторонах, один из которых является полевым, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью упрощения конструкции при обеспечении гальванической развязки управляющей и управляемой цепей, непосредственно на,полупроводнике рядом с полевым электродом образован дополнительный электрод на основе редкоземельных металлов, образующий с полупроводником выпрямляющий контакт с инверсным слоем.

15 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Schroder 5.К. Gnedlng l

)nterpretation of surface and buck effects using the pulsed HDS Capacitor

QQ Solid State 61е=tronics, 1971, 14, 12, 1285-97.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 372586,кл. Н 01 G 7/00, 1973 (прототип).