Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния

Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(19) (11) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s1)s H 01 (21/306

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2929863/25 (22) 26,05.80 (46) 15.07.93. Бюл. М 26 (72) А.И.Красножон (54К57) СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО

ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА

КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Целью изобретения является повышение технологичности процесса.

Поставленная цель достигается тем, что в способе ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния в потоке фторсодержащих ионов. травление ведут в потоке положительных ионов продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода, при этом содержание фтористого водорода в исходном молекулярном потоке составляет 5-98,5 объемных, В способе исключается образование каких-либо твердых фаз и выпадание их в осадок. Тем самым, повышается техноло гичность процесса травления двуокиси и нитрида кремния.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображена схема получения потока положительных ионов продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода.

Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния включает в себя следующие этапы. ионов, отличающийся тем, что с целью повышения технологичности процесса, травление ведут в потоке положительных ионов продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода, при этом содержание фтористого водорода в исходном молекулярном потоке составляет 5 — 98,5 об.

Определенное количество паров 1 фтористого водорода с содержанием воды < 0,1 мас.%, необходимое для непрерывного проведения процесса травления двуокиси или нитрида кремния на кремнии помещают в герметичный резервуар 2, термостатируемый с помощью термостата 3. Через устройство для дозирования малых расходов газов

4 пары фтористого водорода поступают в вакуумпровод 5. Туда же, через устройство для дозирования малых расходов газа 6 поступает в вакуумпровод водород 7. Этот суммарный молекулярный поток 8 поступает в формирователь 9 ионного потока 10. В формирователе 9 под воздействием электромагнитного поля от источника питания 11 создают газовую плазму 12 низкого давления, в которой происходят реакции диссоциации, ионизации и т.п. С помощью электрической составляющей электромагнитного поля из плазмы вытягивают поток положительных ионов 10 продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода.

Для компенсации накапливающегося на диэлектрике положительного заряда потока ионов 10, дополнительно создают поток электронов 13, эмиттированных с нити нака867233 ливания 14. Поток ионов 10 направляют на подложку 15 со слоем двуокиси или нитрида кремния 16 и маской 17. Продукты 18 реакций взаимодействия откачиваются.

Примеры конкретного осуществления способа на усовершенствованной установке типа УРМ3.279.053 приведены в таблице.

При атом обеспечивается достаточная стойкость фоторезистивной маски, характеризуемая отношением собственной скорости травления и скорости травления термического SION 0,72:1-1,1:1 и к $1зйа

1,1:1-2:1, а также регулируется соотношение скоростей травления кремния и двуокиси кремния от 1;1,2 до 1:12 и кремния и нитрида кремния от 1:1,05 до 1:4,5, Применение предлагаемого способа ионнохимического травления в производстве МДП СБИС с использованием фото- и электроннореэистов позволит получать элементы рисунка размером < 0,5-1,0 мкм с обеспечением чистоты вскрытия окон в окисле кремния толщиной 0,5-1,0 мкм на кремнии и нитрида кремния до 0,3 мкм через фоторезистивную маску толщиной 0,60,8 мкм.

Применение изобретения дает значительный технико-экономический эффект за счет повышения выхода годных приборов иэ-за улучшения качества фотолитографиче15 ского рисунка высокого разрешения /0,51,0 мкм/, улучшения культуры труда.

867233

15 16 17

Редактор Г,Берсенева Техред M. Моргентал Корректор И,Шмакова

Заказ 2833 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, улХагарина, 101