КРАСНОЖОН А.И.

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (l 9) - (11) (51)5 Н 01 L 21/306 ГОСУДАРСТВЕН-ЮЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ HF+e HF +2е HF + е -Н F++ е - Н + F (21) 2762323/25 (22) 04.05.79 (46) 15.07.93. Бюл. 3Ф 26 (72) С.С.Булгаков, А.P.Êîñîïëåòêèí и А.И.Красножон (56) Технологическая карта 490.734.346 тк изготовл...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕ CKMX РЕСПУБЛИК (я)ю В 04 В 5/02 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ -.1 (21) 2804082/13 (22) 31.07.79 (46) 15.07;93. Бюл. t4 26 (72) А.Р,Косоплеткин, А;И.Красножон и А.Н.Шарапов (56) Патент США N- 3921898, кл. В 04 В 9/14, 1975. (54)(57) 1. ЛАБОРАТОРНАЯ: ЦЕНТРИФУГА ДЛЯ ФИЛЬТР...

  (19) (11) СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (s1)s H 01 (21/306 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2929863/25 (22) 26,05.80 (46) 15.07.93. Бюл. М 26 (72) А.И.Красножон (54К57) СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих Изобретение относится к техноло...

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ (КСДИ), включающий нанесение окисного слоя на полупроводниковую подложку, фотолитографию, выращивание тонкого термического окисла ..7Е/;---,,я, Hb/iHGT EiiA кремния, воздушную закалку, нанесение слоя золота и диффузию его в кремний, высокотемпературный отжиг в инертной среде , отличающийся тем, что, с целью ув...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования на полупроводниковой подложке маскирующего диэлектрического покрытия, вскрытия окон в нем, формирования базовой области с маскирующим диэлектрическим покрытием, вскрытия окон в последнем покрытием, вскрытия окон в последнем покрытии, формирования эмиттерной области с диэлектрическим пок...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, Езключающий окисяение полупроводниковой подложки, фотогравировку зоны охранного кольца по периферии базы транзистора, диф фузию для со.чдания дополнительной области глубокозалегающего охранного кольца одинакового типа проводимости с базовой областью, удаление легированного окисла и создание нового «гша.ЙГ;,,/ 1SS1S 1 слоя маскирую1цего...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОУЩЫХ КРЕМНИЕВЫХ п-р-п ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции внедрения базовой контактной примеси в кремниевую пол ложку п-типа проводимости через маскирую1цее покрьп ие, создания в маскирующем подкрытии окна под диффузию базовой и эмиттерной примесей, дифОупионного легирования для получения активной базовой и соемещзнной с ней змиттерной области, вскрытия контак...

  (5i)-, H 01 Т, 21/306 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛ И СТИЧ ЕСКИХ РЕСПУбЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГО СПАТЕ НТ СССР) (21) 3366057/25 (22) 09. 11.ц1 (Аб) 15.07.93. Бюл. l" 26 (72) Н,П.Бутырин, B.H.Ликарев и А.И.Красножон (56) Авторское свидетельство СССР И 749293, кл. Н 01 1. 21/306, опубл. 1978, (54)(57) СПОСОБ ИОННО-ХИИИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМН1!ИСОЛЕРИАР,ИХ ЛИЭ...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛ И СТИЧ ЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)л H 01 т. 21/78 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3361943/25 (22) 04. 12.81 . (46) 15.07,93. Бюл. Л". 26 (72) В.Н.Глущенко и А..И.Красножон (54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАПЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования элементов...

  СПОСОБ КОНТРОЛЯ МНОГОПОРОГОВЫХ МДП БИС, включающий подачу напряжения на стоки и затворы двух транзисторов тестовой ячейки, последующее изменение напряжения на затворах транзисторов и определение их токов стока, отличаю и; ийся тем, что, с целью повышения точности , на затворы обоих транзисторов подают одинаковое напряжение и одновременно изменяют его до момента равенства токов ст...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (s() s Н 01 L 21/265 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (щ (ф iQ) 1ы Q() ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3662377/25 (22) 16.11.83 (46) 15.07.93- Бюл, (1 26 (72) В.В.Котов, А,И.Красножон и А,В.Недведков (56) Патент Японии (52-1 9759, кл. H 01 L 21/31, опублик, 1977, Патент Японии !(53 16...

  1 о КАССЕТА ЛЛЯ ОБРАБОТКИ И ТРАНСПОРТИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК, содержащая размещенные меж,пу стойками полложкодержатели в виде установленных, параллельно на разных уровнях стерн(ней с поперечными пазами, два из которых выполнены полыми и снабжены размещенными внутри них подпружиненными штоками с поперечными пазами и механизмом их перемещения , отличающаяся тем, что, с це...

  Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании больших интегральных схем на ВДП-транзисторах. Цель изобретения - повышение быстродействия МДП больших интегральных схем и степени их интеграции. В способе изготовления МДП больших ральных схем создают подзатворный диэлектрик на кг емниевой подложке. Далее наносят поликремниевую разводку и уда...