Способ получения кристаллов полупроводниковых структур

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛ И СТИЧ ЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)л H 01 т. 21/78

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3361943/25 (22) 04. 12.81 . (46) 15.07,93. Бюл. Л". 26 (72) В.Н.Глущенко и А..И.Красножон (54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАПЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытия контактных окон к элементам структуры, формирования металлизированной разводки, нанесения защитного диэлектрического покрытия и маскирующего покрытия, травления разделительных канавок и

Изобретение относится к микроэлектронике и полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов.

Известен способ получения кристал-. лов полупроводниковых структур, включающий операции формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с иаскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытия контактных окон к элементам структуры, соз-, дания металлизированной разводки, формирования разделительных канавок, нанесения защитной диэлектрической пленки и вскрытия окон в ней.

При этом ребра и грани кристалла покрыты защитным диэлектрическим слоем, предохраняющим полупроводниковую структуру в целом от токов утечки при возможном контакте кристалла с внутренними проволочными выводами.

„„ Ы„„1050475 А1 окон под контакты к металлизированной разводке, разделения подложки на кристаллы, отличающийся теи, что, с целью упрощения способа, вскрытие контактных окон и травление разделительных канавок осуществляют одновременно и непрерывно в травителе, индифферентнои к металлизированной разводке.

2. Способ по и 1, о т л и ч а юшийся тем, что травление защитного покрытия и подложки осуществляют плазмохимическии травлением во фторсодержащих газах, индифферентных к металлизированной разводке из алюминия или его сплавов.

Недостатком способа является наличие дополнительной фотолитографии для вскрытия областей под разделительные канавки, усложняющей и удлиняющей технологический процесс изготовления полупроводниковой структуры, С) а также сложность процесса фотолито- Ql графии.по разделительным канавкам { .) глубиной 5 икм. ф

Наиболее близким техническим решением является способ получения крис- (у таллов полупроводниковых структур, включающий операции формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующии их диэлектрическим покрытиеи, вскрытия контактных окон к элементам структуры формирования металлизированной разводки, нанесения защитного диэлектрического покрытия и маскирующего покрытия, травления разделительных канавок и окон

3 7 050 )75 4 под контакты к металлизированной раз- " ? слои, окна в маскирующем слое

Я водке, разделения подложки на крис- над контактными площадками, окна 9

Не ост т в маскирующем слое над разделительедостатком этого способа являет- ными канавками окна 10 ся сложность опе а ии с

5 канавками, окна к контактоперации совмещенной фо- ным площадкам металлизированной азтолитографии ис нка н р у а контактных окон водки, окна 11 над разделительными а ои разк металлизации и разделительных кана- канавками, разделительные канавки 12 вок по защитном пок ыт у покрытию, поскольку и,область зависания защитного иФоторезистивный маски ий сл " рующ " ои име- 10 электрического слоя над разделителього диет разную толщину над элементами ной канавкой 13. структуры подложки и в разделительных П р и м е На пол и р и м е р, а полупроводникоои.от 5 до 5 мкм. вые пластины кремния 1 с интегральл и ово<1ник

Кроме того, травящая среда для по- ными структурами 3 после Форм р у р, овой подложки не должна I5 ния металлизированной разводки 5 из и овавоздействовать на открытое маскирую- алюминия методом плаэмохимического т б щее диэлектрическое покрытие. Таким осаждения наносят " " 6 тре ованиям отвечает указанное в спозащитныи слои о собе и двуокиси кремния в режиме: темперасо е плазмохимическое травление, но тура подложки Т = 200+10 С не в полной ме е о ожки = +, давление ой мере, поскольку диэлект- 20 кислорода P = (2-2,5) Па с добавлеием моносилана до давления 25 Па. рический защитный слой подтравливает" нием м н ся и эффективность маскирования тем После этого на з самым снижается. осле этого на защитное покрытие наносят слой Фоторезиста ФП-626 толЦелью изобретения является упро- щиной 2 мкм П щение способа. щинои . мкм. осле вскрытия в масП. а. 25 кирующем слое 7 фотореэиста окон 8 оставленная цель достигается над алюминиевыми контактными площадтем, что в способе получения кристаллов полупроводниковых структу ками и окон над областями аз еб раздевключающем операции формирования эле- нов е р, ления подложки на кристаллы и ово я р одят е- одновременное плазмохимическое траве во торсодержащих газах заментов структуры в полупроводниковой 30 ление Ф подложке с маскирующим их диэлектри- ц<итного окисла в этих окнах. ческим покрытием, вскрытия контактных П 8 окон к элементам структуры ф ри этом в окнах т в ормиро- до скрытия пове хн ра ление идет вания металлизированной разводки р ости алюминиевои м о а нои разводки, контактной площади, на которой травнанесения защитного диэлектрического 5 ление останавл покрытия и маскирующего пок ытия а авливается за счет ин а авл чет индифр я Ферентности алюминия к воздействию травления разделительных канавок и Фторсодержащей плазмы. окон под контакты к металлизирован- В окнах 9 после вскрытия поверхнои разводке, разделения подложки на ности к емниев " кристаллы в т кремниевои подложки непрерывл, вскрытие контактных окон 40 но продолжаю и травление разделительных канавок глубины и т травление кремния о д ины, превышающей глубину эалега" осуществляют одновременно и непрерыв" ния активн но о в травителе, индифферентном к ме- обычн 5-15 я активных элементов структуры

У таллизированной разводке, травление о ычно - мкм. Плазмохимическое е травление осуществляют в хла онезащитного покрытия и подложки осуще- 4 218 ствляют плазмохимическим травление

45 или смеси 5 элегаза и 54

5< кислово Фторсодержащих газах ин иффм рода на установке ио н а, инди е- пример "плазма-планер" при авлении рентных к металлиэированной разво ке 66-260 а я е 5"

На Фиг.1 изображена полупроводни- 0,7 кВт, при этом ковая подложка с металлиза ией н к т, при этом достигают скорости

Фиг.2 изображена полупроводниковая о слоя двуокиси подложка с разделительными канавками„ кремния 1,2-2,7 нм/с и полик ристаллического кремния подложки 1227 нм/с.

На чертежах приняты следующие обо- Устранение воз значения: полупроводникова странение возможных замыканий ковая подлож- при контакте и ов

1 ие, элемен- кристалла о ты интегральных стр кт 3 р ла осуществляют путем создаы структур 3, контакт- ния зоны изоляции тела к иста ные окна 4, металлизированная развод--. в ви е обла тела кристалла од--- виде Юласти зависания защитного

ыи слои, маскирующий диэлектрического покрытия с ребра

Корректор И.йчакова

Редактор Г.Берсенева Техред М.Иоргентал

Заказ 2834 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и откр и отк ытиям при ГКНТ СССР

Ра шская наб, д, 4/g

113035, Москва, Ж 35, у в

II г Ужгород ул. Гагарина, 101

11

Производственно-издательский комбинат Патент

6 н аз елительной канав- технологию получения кристаллов полукристалла над разделительной канавпроволниковых с никовых структур что приводит кой без специальнои операц

У ных полупролитографии по глубокому рельефу раз- к увеличению выхола год ы водниковых приборов. делительных канавок. Это упрощает