PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ГЛУЩЕНКО В.Н.

Изобретатель ГЛУЩЕНКО В.Н. является автором следующих патентов:

Способ изготовления транзисторных структур

Способ изготовления транзисторных структур

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) () I) (5!)5 Н 01 L 21/02 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2818145/25 (22) 17.09.79 (46) 15.07.93. Бюл. ) Ь 26 (72) В.Н.Глущенко, H.Ю.Дыбовская и А.Н.Косенко (56) Дэнси Дзайра, 1974, гЬ 9, с. 21-26. Патент Японии tk 46 — 31164, кл. 99(5)Е2,. l971....

795311

Способ изготовления вч р- @ -р транзисторов

Способ изготовления вч р- @ -р транзисторов

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 (21/331 ГОСУДАРСТВЕ)НОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2891465/25 (22) 11.03,80 (46) 15.07.93. Бюл, М 26 (72) С.И.Аноприенко, B,Ï.Ãàëüöåâ и В.Н.Глущенко (56) Кремниевые планарные транзисторы / Под ред. Я.А.Фетодова, M. Сов.радио, 1975, с, 67-70, Мейер Д., Э...

845678

Устройство для подачи в камеру термического окисления

Устройство для подачи в камеру термического окисления

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДАЧИ ГАЗА В КАМЕРУ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ полупроводниковых пластин, включающее источник газа и испаритель, Изобретение относится к устройствам для подачи газа в камеру термического окисления и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности. Целью изобретения является повышение стабильности процесса при чередовании подачи сухого и увл...

847724

Способ изготовления интегральных мдп-транзисторов

Способ изготовления интегральных мдп-транзисторов

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) ((1) (я)5 H 01 1 21!335 ГОСУДАРСТВЕН(ОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) 1 33е "33Р с ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2923001/25 (22) 13.05.80 (46) 15.07.93. Бюл. М26 (72) B,Н.Глущенко (56) Шилин В.А. Большие интегральные схемы; — Электроника, 1972, гЬ 10, с. 49-54. Авторское свидетельство ССС...

865053

Способ изготовления вч транзисторных структур

Способ изготовления вч транзисторных структур

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЧ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий получение базового примесного слоя противоположного подложке типа проводимости и его термическую разгонку, формирование маскирующего диэлектрического покрытия с последующим вскрытием эмиттерного окна и формирование активной базовой и эмиттерной областей через одно и то же окно, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью улу...

867224


Способ изготовления мощных вч-транзисторов

Способ изготовления мощных вч-транзисторов

  СОЮЭ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) (! () (51)5 Н 01 1 21/331 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ О С) 4 Ql (21) 2887556/25 (22) 26.02.80 (46) 15.07.93. Бюл. 26 (72) В.Н.Глущенко (56) Патент США hb 3512056, кл. 317 — 215, опублик. 1974. Патент США М 3648123, кл. 317 — 235, опублик. 19...

900759

Способ изготовления быстродействующих транзисторных структур

Способ изготовления быстродействующих транзисторных структур

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования на полупроводниковой подложке маскирующего диэлектрического покрытия, вскрытия окон в нем, формирования базовой области с маскирующим диэлектрическим покрытием, вскрытия окон в последнем покрытием, вскрытия окон в последнем покрытии, формирования эмиттерной области с диэлектрическим пок...

950113

Способ получения эмульгатора гидрофобных эмульсий

Способ получения эмульгатора гидрофобных эмульсий

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭМУЛЬГАТОРА ГИДРОФОБНЫХ ЭМУЛЬСИЙ общей формулыЦОг О СНОН П I C-N-CH -г tugOH Н где R - алкил , отличающийся тем, что декстрамин подвергают взаимодействию с жирными карбоновыми кислотами С (-С25 и ли кубовым i остатком от производства синтетичес (Л ких жирных кислор С| -СлсПри 120-150 С в течение -6 ч. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН 09) ()1) 8 А з...

959388

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРПВПДНИКПВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования элементов .структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытия контактных областей к элементам структуры, осуществления металлизированной разводки , формирования разделительных канавок, нанесение защитной диэлект рической пленки и вскрытия окон в ней, о...

980568

Способ изготовления полупроводниковых структур с высокоомными диффузионными слоями

Способ изготовления полупроводниковых структур с высокоомными диффузионными слоями

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРПВОЛНИКОВЫХ СТРУКТУР С ВЫСОКООИНЫМН ЛИЛ УЗИОННЫНИ слоями, включающий формирование высоколегированной области в подложке, вытравливание средней ее части через маскирующее Ь„,,, .Г- Тг/ч-.л j покрытие и термическую обработку в нейтральной среде, отличающ и и с я тем, что, с целью упрощения способа и повышения воспроизводимости параметров диффузионных слоев...

986229


Способ изготовления мощных кремниевых @ -р- @ транзисторов

Способ изготовления мощных кремниевых @ -р- @ транзисторов

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОУЩЫХ КРЕМНИЕВЫХ п-р-п ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции внедрения базовой контактной примеси в кремниевую пол ложку п-типа проводимости через маскирую1цее покрьп ие, создания в маскирующем подкрытии окна под диффузию базовой и эмиттерной примесей, дифОупионного легирования для получения активной базовой и соемещзнной с ней змиттерной области, вскрытия контак...

1018543

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур

Способ получения кристаллов полупроводниковых структур

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛ И СТИЧ ЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)л H 01 т. 21/78 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3361943/25 (22) 04. 12.81 . (46) 15.07,93. Бюл. Л". 26 (72) В.Н.Глущенко и А..И.Красножон (54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАПЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования элементов...

1050475

Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов

Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов

  СПОСПБ ИЯГОТПВЛЕНИЛ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРПВПЛНИКПВЫХ ПРИБОРОВ,включающий операции формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке С маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытие контактных областей к элементам структуры, формирование металлизированной разводки и канавок разделительной изоляции , нанесение защитного диэлектрического покрытия на рельефную поверхность...

1102433

Способ изготовления высокочастотных транзисторных структур

Способ изготовления высокочастотных транзисторных структур

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР , включающих локальное легирование подложки до получения поверхностной концентрации примеси противоположного подложке типа проводимости не менее IlO CM с последующим формированием внешней базы разгонкой примеси из легированных областей в подложку , создание активной базы и эмиттера, а также контактов в области стру...

1114242

Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур

Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование элементов структуры в кремниевой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, вскрытие контактных окон, нанесение металла, формирование металлизированной разводки с использованием фоторезистивной маски, удаление фоторезистивной маски, надрезание структуры на глубину не боле...

1160895


Способ изготовления мощных вч и свч транзисторов

Способ изготовления мощных вч и свч транзисторов

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛ ИСТИЧ ЕСKMX РЕСПУБЛИК (я)ю N 01 1 21/331 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ 0 jCA ГОСУДАРСТВ Е Н Н ОЕ ПАТЕ НТНО Е ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) К, А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3690020/25 (?2) 10 01 84 (46) 15. 07.93. Бюл. " 26 ..(72) В. П.Гальцев, В.Н.Глущенко и R„R.Êoòîâ (56) Патент США Г 4252582, кл. Н 01 21/203, опублик. 1982, Патент СНА " 3795553, кл. Н 01 ?...

1163763

Планарная транзисторная структура

Планарная транзисторная структура

  ПЛАНАРИАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, с выносными контактамир содержап1ая высокоомную подложку коллектор первого типа проводимости, расположенные в ней базовую и эмиттерные области соответственно второго и первого типов проводимости, пассивирующее диэлектрическое покрытие , включающее заряд, знак которого противоположен знаку заряда основных носителей в коллекторе, диэлектрическое п...

1272927

Способ изготовления @ -р- @ -транзисторных структур

Способ изготовления @ -р- @ -транзисторных структур

  Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и применимо в технологии изготовления дискретных транзисторных структур и интегральных схем. Целью изобретения является повышенне процента выхода годных за счет уменьшення токов утечек. На полупроводниковой подложке формируют скрытые слои, наращивают эпитаксиальную пленку, форт1руют область базы. Затем вкрывают зм...

1373231

Устройство для продувки камеры

Устройство для продувки камеры

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК (19) (И1 (S1)5 С 30 В 25 08 ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 15.07.93. Бюл. 1 26 (21) 4023121/26 (22) 11.02,86 (72) В.Н.Глущенко, К.И.Гордиенко, Г.И.Грищук, В.А.Жариков и В.ф.Колесников (56) Бургер P., Донован P. Основы технологии кремниевых интегральны...

1380309

Способ изготовления @ -р- @ -высокочастотных транзисторных структур

Способ изготовления @ -р- @ -высокочастотных транзисторных структур

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИА/1ИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК (51) 5 Н 01 1. 21/331 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЛИРЬПИЯ)4 При.п(НТ Ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ H АвтОРСИом свидкткльСтвм (46) 15.07.93„ Бюл, ¹ 26 (21) 4147408/25 {22) 17.11.86 (72) В.Н. Глущенко, Б.Н. Исаев, А.Н. Кастрюлев и А.К. Намардин с С0 (56) Gruaul I. et al High. Performance transistors with arsenic implan...

1499602


Способ изготовления полупроводниковых структур

Способ изготовления полупроводниковых структур

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51) 5 Н 01 L 21/82 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЦТИЯМ IlPH ГКНТ СССР (46) 15,07. 93. Бюл. h" 26 (21) 4168286/25 (22) 08.10.86 (72) В,H,Глущенко, Э.В.Еремич, В.А.Жариков, В.Ф.Колесников и С,С.Сосницкий (56) Патент СИА Р 4. 499. 653, кл. Н 01 L 21/94, 1985 ° Патент...

1505358

Способ изготовления полупроводниковых структур

Способ изготовления полупроводниковых структур

  Изобретение относится к микроэлектронике , в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с многоуровневой металлизацией. Способ позволяет повысить надежность полупроводниковых структур путем исключения проводящих дефектов в диэлектрическом покрытии, формируемом между двумя уровнями металлизации . Для достижения цепи после нанесения нижнего слоя алюминия и литог...

1542337