Устройство для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур

Устройство для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„886623

-. юр С 01 R 1/26. Н 01 L 21/66

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

i ъ, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, .: ": д

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l (21) 2870686/18-21 (22) 10.01.80 (46) 30.08.83. Бюл. к 32 (72) В. Г. Агафонов, С. A. Бондарь, Д, 3. Гарбузов, А. Н. Ермакова и Л.В. Лебедева (71) Ордена Ленина Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (53) 621.382(088.8) (56) 1. Н;Ю.Давидюк Разработка и исследование полупроводниковых источников света и их применение в системах накачки твердотельных ОКГ. Кандидатская,диссертация, Л., 1978, с. 46.

2. Авторское свидетельство СССР .

И 557701, кл. H 01 L 21/66, 14.01.76 (прототип). (54)(57) 1. УСТРОИСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОЛОИИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗМЕРЕНИЙ ВНЕШНЕГО

КВАНТОВОГО ВЫХОДА ИЗЛУЧАЮЩИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный фотоприемник, соединенный с измерительным блоком, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерений, плоский омический контакт выполнен в виде слоя из оптически прозрачиого и электропроводящего материала, нанесенного на одну из поверхностей оптически прозрачной пластины,противоположная поверхность которой размещена на калиброванном фотоприемнике.

2. Устройство по и. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что в качестве электропроводящего материала плоского омического контакта использована двуокись олова.

8866

Изобретение относится к полупроводниковой технике,в частности к устройствам для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых . структур, предназначенных для изготовления светодиодов и лазеров.

Известно устройство для измерения абсолютных значений внешнего квантового выхода излучающих полупроводнико- l0 вых структур пропусканием через них постоянного тока в прямом направлении, содержащее источник питания,фотьприемник и подключающие контакты 513. SS

Недостатками такого устройства являются ни экая точност ь и змерений и необходимость изготовления образцов с омическими контактами,что представляет собой трудоемкий -процесс. 20

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству является устройство для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур, содержащее источник питания, соединенный с зондом и flfloc» ким омическим контактом, и калиброванный фотоприемник, соединенный с измерительным блоком 52 ).

Для определения абсолютных значений внешнего квантового выхода с помощью такого устройства требуется проведение специальных экспериментов по определению эффективности захвата и передачи излучения световодом. Кро35 ме того, в измерениях всегда будет присутствовать ошибка, связанная с поглощением части излучения под капилляр" ным контактом.

Целью изобретения является повышение точности измерений.

Цель, достигается тем, что в устройстве для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода из45 лучающих полупроводниковых структур,содержащем источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный Фотоприемник, соединенный, с измерительным блоком, плоский омический контакт выполнен в виде слоя из оптически прозрачного и электропроводящего материала, нанесен ного на .одну из поверхностей оптически прозрачной пластины, противополож55

ВНИИПИ Заказ 8094/3

23 .2 ная поверхность которой размещена на калиброванном фотоприемнике,а в качестве электропроводящего материала плоского омического контакта использована двуокись олова.

На чертеже изображена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит зонд 1, излучающую полупроводниковую структуру 2, плоский оптически прозрачный омический контакт 3, оптически прозрачную пластину 4, прижимные контакты 5, источник 6 питания, измеритель 7 то- ка, фотоприемник 8 и измерительный прибор 9.

Устройство работает следующим образом.

Структура 2, электрически связанная через контакты 5 и контакт 3 с источником 6 и измерителем 7, посредством зонда 3 включается в прямом направлении,в результате чего из эмиттеров инжектируются неравновесные носители, которые рекомбинируют вблизи р-и-перехода с излучением квантов света.

Зонд осуществляет электрический контакт со стороной структуры 2, противоположной излучающей поверхности, и прижимает структуру излучающей стороной к контакту 3, выполненному в виде оптически прозрачного и электропроводящего слоя, нанесенного на пластину 4. Рекомбинационное излучение, выходящее через излучающую поверхность структуры 2, попадает на калиброванный фотоприемник 8 и регистрируется прибором 9.

Внешний квантовый выход излучения рассчитывается по формуле 4ï

Се= с Р— ис где а — коэффициент, учитывающий спектральную чувствительность фотоприемника;

/Ъ - коэффициент, определяемый экспериментально и учитывающий потери рекомбинационного излучения в толще пластины 4 и контакте 3; .

Зфп- ток, протекающий через фотоприемник 8;

З„с- ток, протекающий через структуру 2. .Тираж 710 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4