ЕРМАКОВА А.Н.
Изобретатель ЕРМАКОВА А.Н. является автором следующих патентов:
Способ получения полупроводниковых структур
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 463384 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02,01,7 3 (21) 18657 85/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.01,77,Бюллетень №1 (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) М. Кл Н 01 1. 21/20 Государственный комитет Совета Министров СС...
463394Устройство для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„SU„„886623 -. юр С 01 R 1/26. Н 01 L 21/66 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ i ъ, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, .: ": д К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ l (21) 2870686/18-21 (22) 10.01.80 (46) 30.08.83. Бюл. к 32 (72) В. Г. Агафонов, С. A. Бондарь, Д, 3. Гарбузов, А. Н. Ермакова и Л.В. Лебедева (71) Ордена Ленина Фи...
886623