Способ получения полупроводниковых структур

Способ получения полупроводниковых структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 463384 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02,01,7 3 (21) 18657 85/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.01,77,Бюллетень №1 (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) М. Кл

Н 01 1. 21/20

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382 (088,8) В. М. Андреев, Б, B. Егоров, А. Н. Ермакова, B. Р. Ларионов и Г. Н. Шепованова (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Ордена Ленина физико-технический инстиут им. А. Ф. Иоффе (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к электронной технике и может быть испопьзовано при попучении попупроводниковых структур методом кристаллизации из раствора-расплава.

Известно,что ряд параметров полупроводниковых приборов, например светоизпучазоших, и технологичность их изготовления в значительной степени определяются качеством поверхности используемой эпитаксиапьной 1р структуры. Получение хороше и поверхности методом кристаллизации из раствора-расплава— сложная задача. Известны способы получения структур кристаллизацией из раствора-расплава, причем раствор, из которого производится 15 кристаппизация последнего слоя, удаляется механически. При неполном удалении с поверхности структуры поспеднего раствора«расппава он кристаллизуется в процессе охпаждения установки до комнатной темпера- 2О туры. В ржупьтате получают неровную поверхность, с наппывами, со слоями твердых растворов переменного состава которую необходимо подвергать механической и химической обработке перед дальнейшими тех- 25 нологическими операциями изготовления приборов. Дпя обеспечения попного удаления поспеднего раствора-расплава разрабатывают специальные устройства дпя выращивания, стро

ro (с точностью до «+ 1 С) соблюдают температурные режимы, тщательно контролируют состав защитной среды, подбирают состав растворов-расппавов в точном соответствии с диаграммой состояния и дрЦепь изобретения — упучшение качества поверхности попупроводниковых структур без ужесточения требований к усповиям проведения процесса эпитаксиапьного выращивания.

Сущность изобретения заключается в выращивании поверх последнего рабочего опоя и последующем химическом стравливании дополнительного слоя материала, скорость травления которого бопее,чем на порядок превосходит скорость травления материапа последнего рабочего слоя.

Дпя выращивания в конце кристаппизации последнего рабочего сзтоя в растворрасплав, из которого производится еа.о кристаллизация, вводится вещество, обеспе463394

Составитель Н, Островская

Редактор Т. Орловская Техред Q, Дуговая Корректор В. Куприянов

Заказ 893/79 Тираж 976 П одпис н ое

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", r. Ужгород, уп. Проектная, 4 чиваюшее кристаллизацию дополнительного слоя. После окончания эпитаксии этот слой стравпивается в специально подобранном химическом травитепе, скорость растворения рабочего слоя в котором значительно меньше.

Предложенный способ позволяет получать поверхность эпитаксиапьных структур по

l4 классу и использовать полученные структуры дпя фотопитографических, диффузион- 10 ных и других технологических процессов без дополнительной механической обработки поверхности структуры.

При получении структур в системе алюминий-гаплий-мышьяк после кристаппизации поспеднего слоя с содержанием арсенида алюминия менее 60% в раствор-расплав„ из которого производится вырашивание по-» спеднего слоя, вводится дополнительное ко« пичество апюминия которое обеспечивает кристаппизацию твердого раствора алюминия-галлия-мышьяка с содержанием арсенида алюминия более 80-90%. Вырашивание допопнитепьного опоя производится при выкпюченной печи. 25

После окончания процесса эпитаксии этот дополнительный слой стравпивается, например, в соляной кислоте, скорость растворения в которой слоев твердых растворов с содержанием арсенида алюминия более 80- зо

-90% на несколько порядков больше, чем скорость растворения слоев твердого раствора с содержанием 0-60% арсенида алюминия.

Полученная после стравливания поверхность имеет хорошее качество и не нуждается в дополнительной механической обработке.

Формула изобретения

1, Способ получения попупроводниковых структур методом последовательной кристаллизации из растворов-расппавов, о т и и— ч а ю ш и и с я тем, что, с целью получения гладкой рабочей поверхности, поверх последнего рабочего слоя структуры выращивают и поспе окончания процесса эпитаксии химически стравливают допопнитепьный спой материала, скорость травления которого более чем на порядок превосходит скорость травления материала поспед— него рабочего слоя.

2. Способ по п. 1, о т и и ч а ю ш и и с я тем, что при попучении структур в системе алюминий-гаппий-мышьяк с содержанием арсенида апюминия в последнем рабочем. слое не более 60% поверх него вырашивают слой твердого раствора алюминий-гаплий-мышьяк с содержанием арсенида алюминия 80-90%.