PatentDB.ru — поиск по патентным документам

АНДРЕЕВ В.М.

Изобретатель АНДРЕЕВ В.М. является автором следующих патентов:

Способ изготовления полупроводниковых диодов на основе соединений а в

Способ изготовления полупроводниковых диодов на основе соединений а в

  О П И С -А - - Н И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик (11) 251096 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15. 01. 68 (21) 1210943/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05,01.77.Бюллетень № (45) Дата опубликования описания 06.05.77 (51) M. Кл."Н 01 Н 21/203 Гасударственный комитет Совета Минис...

251096

Инжекционный лазер

Инжекционный лазер

  Жс.. sai-ф,и. Ф Ф ° ) оп ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистимеских Республик (11) 300126 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 05.05.69 (21) 1333240/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01.77.Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описания06.05.77 (51) М. Кл. Н 01 $3/19 Н 01 L 31/00 Государственный комите...

300126

Полупроводниковый фотоэлемент

Полупроводниковый фотоэлемент

  О П И С А Н И Е (344781 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскик Социалистически к Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6I ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14. 07. 70 (21) 1465206/26-25 (5I)M. Кл. с присоединением заявки №вЂ” Н 01 L 15/02 Гасударственный камнтет (23) Г!риоритет— па делам иэобретений и аткрытнй Опубликовано 23, 07. 81. Ь оллетеиь № 27 (53) УДК 621.3831 :6...

344781

Полупроводниковый оптический квантовый генератор

Полупроводниковый оптический квантовый генератор

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДВТВДЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 382875 (61) Дополнительное к авт, свид-ву(22) 3аявлено 19,07,71 (21) 1677436/26»25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01.77.Бюллетень № 1, (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) М. Кл. Н 01 S 3/19 Государственный комитет Совета Министрав СССР о...

392875

Полупроводниковый источник светового излучения

Полупроводниковый источник светового излучения

  ОП ИСАНИЕ ИЗО6РЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 43.0718 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.01.72 (21) 1738660/26-25 (51) M. Кл. Н 05 В 33/12 с присоединением заявки № (23) Приоритет Гасударственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 05.01.77.Бюллетень № 1 (45) Д...

410718


Полупроводниковый сцинтилляционный детектор ионизирующих излучений

Полупроводниковый сцинтилляционный детектор ионизирующих излучений

  Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) 43483-". (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено05,09.72 (21) 1827352/26 — 25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.01.77.Бюллетень № (45) Дата опубликования описания 27.04-,77 (51) М. Кл, („01 Т 3/00 Государственный комитет Совета Министров ССС...

434830

Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

  ОП ИСАНИЕ ИЗОВРЕтИНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 460826 (51) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.10.72 (21) 1836833/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01,77,Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) Q, Кл > Н 01L 21/70 Государственный комитет Совета Министров СССР во...

460826

Способ получения 5-фенилпентаналя

Способ получения 5-фенилпентаналя

  OA N CAHNE ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Сомтских" Социалистических Республик (11) 462457 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено %7.07,72 (21) f812439/23-4 (51) М. Кл, С 07о 47/48 с присоединением заявки Государственный квинтет Совета Министров СССР ио делан изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано05Л2 75. Бюллетень № 45 (45) Дата опу...

462457

Способ получения полупроводниковых структур

Способ получения полупроводниковых структур

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 463384 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02,01,7 3 (21) 18657 85/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.01,77,Бюллетень №1 (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) М. Кл Н 01 1. 21/20 Государственный комитет Совета Министров СС...

463394

Полупроводниковый лазер с гетеропереходами

Полупроводниковый лазер с гетеропереходами

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (и):5 21806 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— 2 (51) М. Кл. Н 01 S 3/18 (22) Заявлено 06. 11,73 (21) 3.,96 7931/26-25 с присоединением заявки №« (23) Приоритет— Государственный комитет Совета Министров СССР оо делом изобретений и открытий (43) Опубликовано 25.08.7.7.Бюллетень №3...

521806


Твердотельный квантовый усилитель и генератор электромагнитного излучения

Твердотельный квантовый усилитель и генератор электромагнитного излучения

  ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ КВАНТОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ И ГЕНЕРАТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ на основе монокристапличес- • кой структуры с одновременным периодическим изменением потенциала, отличающий с я тем, что, с целью увеличения мощности когерентного излучения и осуществления перестройки его частоты, указанная структура выполнена из периодически чередующихся двух слоев материалов с различными ш...

594843

Солнечный фотоэлемент

Солнечный фотоэлемент

  1. СОЛНЕЧНЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ на основе структуры с гетеропереходом между арсенидом галлия и твердымраствором алюминий-галий-мышьяк с плав ным уменьшением содержания арсенида алюминия в твердом растворе от облучаемой поверхности к р-п-переходу, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента полезного действия, на поверхности структуры выполнен дополнительный слой толщиной не бо...

598470

Способ выявления дефектов с повышенными токами утечки в полупроводниковых структурах

Способ выявления дефектов с повышенными токами утечки в полупроводниковых структурах

  СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ С ПОВЬШЖННЫМИ ТОКАМИ УТЕЧКИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ . СТРУКТУРАХ, основанный на электрохимическом декорировании дефектов путем приведения поверхностей полупроводниковой структуры СП- и р -слоями в контакт с электролитом , включении между полупроводниковой структурой и электролитом источника напряжения и визуальном выявлении дефектов, о т л и .ч а ю щ и и с я...

1010997

Способ изготовления полупроводниковых фотопреобразователей

Способ изготовления полупроводниковых фотопреобразователей

  СПОСОБ ИЗГОТОВЖНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, вкл1очшо1Щй изготовление просветляющего покрытия и токоотводящих контактов к слою -твердого раствора в системе алюминий-галлий-мьппьяк, отли,чающийся тем, что, с целью упрощения способа и повыше-. ния надежности контактов при снижении контактного сопротивления, осуществляют анодное окисление слоя твердого раствора при нап...

1042541