Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОВРЕтИНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 460826 (51) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.10.72 (21) 1836833/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01,77,Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) Q, Кл >

Н 01L 21/70

Государственный комитет

Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий (53) У Q К 6 2 1. 38 2 (088,8) В. М. Андреев Ю, В. Жиляев, В, P. Ларионов и В. Г. Никитин (72) Авторы изобретения

Ордена Ленина физико-технический институт им. А, Ф, Иоффе. (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ

Известны устройства для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом. жидкостной эпитаксии, включакшие контейнер для нескольких расплавов и подложкодержатель, выполненные с возможностью перемешения подложки относительно контейнера с целью поочередного приведения подложки в контакт с расплавами.

Недостатком этих устройств является то, что при перемешении подложки может 1П происходить либо перетаскивание одного расплава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия 15 смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах.

С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство 20 снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помешены держатели подложек, образуюшие канал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. 25

На чертеже показано предлагаемое устройство.

В корпусе 1 неподвижно укреплен съемный держатель 2 подложек 3. Подложки расположены параллельно одна другой, образуя своими поверхностями зазор, в которой продавливается расплав. Из расплава в зазоре происходит кристаллизация полупроводникового слоя. Поршень 4 находится в неподвижной камере 5, соединенной с подвижным контейнером 6 для расплавов каналом7.

Подвижный контейнер имеет несколько объемов для расплавов (на чертеже три объема) и выполнен из одной детали, помешенной в специальные направляюшие в корпусе 1. Для отработанных расплавов предусмотрен резервуар 8.

Устройство работает следуюшим образом.

Один из объемов подвижного контейнера 6 с расплавом, который необходимо подать в зазор между подложками, располагается над соединительным каналом 7, При движении поршня 4 в сторону от держателя подложек, к которому он в исходном. состоянии плотно прилегает, открывается соединительный канал

460826

Составитель Б. Суходоев

Редактор Т. Янова Техред O. Луговая Корректор В. Куприянов

Заказ 893/79 Тираж 976 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород уп, Проектная, 4 и расплав перетекает под действием собственного веса в неподвижную камеру 5, Во время обратного движения поршня, при перекрытии канада 7, расплав продавливается через зазор до тех пор, пока поршень не дойдет до держателя подложек и не вытеснит весь расплав из неподвижной камеры 5, Для замены расплава в зазоре над каналом 7 устанавливается следукщий объем контейнера, и операции с поршнем повторяются. Дпя попного вытеснения предыдушего расплава последующим объем зазора между подложками устанавливают не большим обьема неподвижной камеры.

Таким образом, благодаря тому, что с помощью предлагаемого устройства замена расплава на подложке происходит путем. вытеснения предыдущего расплава последующим, уменьшается количество дефектов в эпитак- 2О сиапьных структурах. В частности, испопьзование предлагаемого устройства для изготовпения гетеролазерных структур позвопяет значительно улучшить воспроизводимость параметров инжекционных лазеров.

Формупа изобретения

Устройство для изготовления многослойных попупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии, включающее держатель подложки и контейнер для расплавов, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения дефектов изготовпяемых структур, устройство снабжено соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которой размещены держатели подложек, образующие канал, соединякший камеру с резервуаром. для отработанных расплавов.