PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЛАРИОНОВ В.Р.

Изобретатель ЛАРИОНОВ В.Р. является автором следующих патентов:

Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

Устройство для изготовления многослойных полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии

  ОП ИСАНИЕ ИЗОВРЕтИНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 460826 (51) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.10.72 (21) 1836833/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01,77,Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) Q, Кл > Н 01L 21/70 Государственный комитет Совета Министров СССР во...

460826

Способ получения полупроводниковых структур

Способ получения полупроводниковых структур

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 463384 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02,01,7 3 (21) 18657 85/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.01,77,Бюллетень №1 (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) М. Кл Н 01 1. 21/20 Государственный комитет Совета Министров СС...

463394

Полупроводниковый лазер с гетеропереходами

Полупроводниковый лазер с гетеропереходами

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (и):5 21806 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— 2 (51) М. Кл. Н 01 S 3/18 (22) Заявлено 06. 11,73 (21) 3.,96 7931/26-25 с присоединением заявки №« (23) Приоритет— Государственный комитет Совета Министров СССР оо делом изобретений и открытий (43) Опубликовано 25.08.7.7.Бюллетень №3...

521806

Солнечный фотоэлемент

Солнечный фотоэлемент

  1. СОЛНЕЧНЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ на основе структуры с гетеропереходом между арсенидом галлия и твердымраствором алюминий-галий-мышьяк с плав ным уменьшением содержания арсенида алюминия в твердом растворе от облучаемой поверхности к р-п-переходу, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента полезного действия, на поверхности структуры выполнен дополнительный слой толщиной не бо...

598470

Способ изготовления полупроводниковых фотопреобразователей

Способ изготовления полупроводниковых фотопреобразователей

  СПОСОБ ИЗГОТОВЖНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, вкл1очшо1Щй изготовление просветляющего покрытия и токоотводящих контактов к слою -твердого раствора в системе алюминий-галлий-мьппьяк, отли,чающийся тем, что, с целью упрощения способа и повыше-. ния надежности контактов при снижении контактного сопротивления, осуществляют анодное окисление слоя твердого раствора при нап...

1042541