Способ выпрямления полупроводниковых структур

Способ выпрямления полупроводниковых структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскин

Социалистические

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Опубликовано 230282. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 2 30282 (51) М. Кл.

Н 01 (21/463

3ЬФуюфапкнный комнтет

СССР ае делам нзебретеннй н опрытнй (53) УДК621.396 (088. 8) (72) Автор изобретения

Д. E. Павленко (7l ) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫПРЯИЛЕНИЯ ПОЛУПР080ДНИКОВЫХ

СТРУКТУР

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быт ь использовано в электронной промышленности.

Известен способ выпрямления и закрепления полупроводниковых структур при вскрытии монокристаллических островков кремния, основанный на нанесении слоя воска на подогретую полировальную головку, прижатии структуры к слою воска и охлаждения слоя воска совместно с полировальной головкой и прижатыми к ней структурами 11).

Из вест ный способ не обе с печи вает полного выпрямления структуры, кривизна которой вызвана различием коэффициентов термического расширения ее слоев, так как вели Ана силы прижатия структур не регламентирована.

Это приводит к неравномерному вскрытию монокристаллических островков.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности я вляется способ выпря мления полу про водни ко вых структур перед сошлифовкой монокристаллического кремния до разделительных канавок, включающий приложение к ст руктуре равномерно р ас пределе нного

5 по площади усилия, допускаемого пределом ее прочности (21.

Данный способ также не учитывает влияние динамики приложения силы.

Нгновенное приложение или снятие до" пустимой нагрузки нередко гриводит к разрушению структуры из-за повышенной концентрации напряжения в дефектных точках монокристаллического слоя, 15 что снижает выход годных изделий.

Цель изобретения — повышение выхода годных изделий.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу выпрямления полупроводни ковых ст руктур, основанному на приложении к структуре равномерно распределенного по площади усилия, к структуре прикладывают равномерно изменяющееся давление с помощью пне"

9Н640

0,01, И=К где Р давление воздуха в сети, кг/см площадь сечения входного ото верстия в камеру пресса, см, ускорение свободного паде2 ни я, см/с; напор, получаемый от давления, Р, см;

3 15 объем камеры пресса, см;

К вЂ” коэффициент сопротивления диафрагмы в камере пресса, равный 0,01 — 0,02.

Скорость перераспределения напря- о жений в структуре в основном определяется дефектностью и толщиной моно" слоя и устанавливается опытным путемм. После полно ro вы пря мления ст ру ктуры величина прилагаемого давления может возрастать до предела прочности на снятие прокладки, которая способствует равномерному распределению нагрузки по всей площади. При снятии структуры с оправки рс1ль замедлителя изменения напряжения в структуре играет медленно разогреваемый воск, которым приклеивается структура, Способ позволяет учесть динамику прила гаемо го у силия, котора я от рицательно влияет на процесс.

П р и м е p . На подложку монокристаллического кремния с разделительными канавками диаметром 40 мм и толщиной 400 мкм из кремния марки

КЭ 40,5 — 3А наносят слой двуокиси кремния толщиной 2 мкм, а поверх него — слой поликристаллического кремния толщиной 200 мкм. Полученные многослойные структуры s количестве 8 шт. помещают на разогретую оправку со слоем воска монокристаллической частью вниз. Оправка устанавливается -на ожидаемую плиту и 50 через упругую прокладку осуществ яют давление йневмат и чес ки м способом.

Максимальная скорость изменения (роста) давления для этого случая составляет!

Использование предлагаемого способа значительно сокращает разламывание структур при наклейке и эконоЗо мит полупроводниковй материал.

Формула изобретения

Способ выпрямления полупроводниковых структур, основанный на приложении к структуре равномерно распределенного по площади усилия, о т л и чающий с я тем, что, с целью

g0 повышения выхода годных изделий, к структуре прикладывают равномерно изменяющееся давление с помощью пневматического пресса, причем максимально допустимую скорость изменения давления определяют из соотношения где P

55 вматического пресса, причем макси" мал ь но допу сти мую с корост ь изменения давления определяют из соотношения

И вЂ” IC — - — = 0,015»

„5 Оь 07> -162,930 .4000

= 0,0073 — "

2000 см с а время роста 2, 3 мин, по истечении которого максимальная сила составляет 300 кг. После приложения силы подача воздуха B пневмокамеру пресса прекращается и в этом состоянии подложки выдерживает до остывания оправки и слоя воска на ней до нормальной температуры. Затем сошлифовывается слой со стороны поликристаллической части с целью создания поверхности поликристаллического слоя, параллельной поверхности монокристаллического слоя и поверхности диэлектрика. Далее нагревают оправку и сила, с которой воск удерживает структуру, медленно ослабевает, не допуская разрушения структуры. Структуры наклеивают аналогичным образом поликристаллической частью вниз и снимают слой монокристаллического крепния до вскрытия островков его. и = к — - — k c p p

V давление воздуха в сети, кг/см> площадь сечения входного отверстия в камеру пресса, см; ускорение свободного падения, см/с; напор, получаемый от давления Р, см;

3 объем камеры пресса, см

907640

1. Авторское

h" 310595, кл. H

Составитель О. Павлова

Редактор Н. Бобкова Техред И,Рейвес Корректор Е. Рошко

Заказ 604/62 Тираж 758 Подписное

ВНИ11ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

К вЂ” коэффициент сопроти вления диафрагмы в камере пресса, равный 0,01 — 0,02.

Источники информации, прщ<ятые во внимание при экспертизе

6 свидетельст во СССР

О1 1 7/00, 1970.

2. Авторское свидетельство СССР

h 382174, кл. H 01 L 21/463, 1972 (прототип)