Резистивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов

Резистивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

iii924765

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союэ Советски н

Социалис тически к

Республик (6I ) Дополнительное к авт. саид-ву (5l)M. Кл. (22) Заявлено 23. 10. 80 (21) 2996749/18-21

Н 01 С 7/00 с присоединением заявки №евауйарстеенные комитет

СССР ео денем нмбретеннй н атерытнй (23) ПриоритетОпубликовано 30. 04. 82 Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 02.05.82 (53) УДК621 396..69(088.8) (72) Авторы изобретения

В. Л. Волкова, А. С. Гудков, В. Ф. Ряхин, Г. А. Максимцова, В. В. Богаткова, В. И. Загинайло и И. В,"; Закс

t; г.

1 (7l ) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ВЫСОКООМНЫХ

ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к резисторостроению, в частности может быть использовано для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов.

Известен резистивный материал для изготовления высокоомных тонкостенных резисторов, состоящий из смеси порошков металлов и диэлектрика, включающего окислы кремния и алюминия

П1.

Недостат ком из вест ного резистивно1О го. материала является трудность получения высокоомных резистивных пленок с малым значением температурных коэффициентов сопротивления (TKC), свя)S занная с тем, что в каждой партии полученных после напыления заготовок резисторов наблюдается большой разброс по величине ТКС, вследствие чего доля высокомных резисторов с малым

ТКС очень незначительна

Наиболее близким к предлагаемому является резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисто ров, включающий хром, железо, алюми,ний и смесь окислов кремния и алюминия (21.

Недостатком этого резистивного материала является то, что он не позволяет получать резистивные пленки с удельным поверхностным соп ротивлением более 10 кОм/д с малым (близким к нулю} значением ТКС, что необходимо для прецизионных высокоомных резисторов.

Изменяя температуру отжига резистивных пленок, полученных после напыления в вакууме известного резистивного материала на керамические основания резисторов можно в определенных пределах управлять величиной TKC.

При этом, чем выше температура отжига, тем более положительные значения

ТКС получаются. Однако для резистивных пленок с поверхностным сопротивлением выше 10 кОм/ц ТКС лучше чем -50 х 10 1/С получить не удается, так как значительное повышение температуЭ 92476 ры отжига с целью смещения ТКС к нулевому значению уже не дает результата, потому что происходит резкое, неуправляемое изменение величины сопро; тивления реэистивных пленок (R ).

Цель изобретения — расширение диапазона удельных поверхностных сопротивлений резисторов в высокоомную сторону с одновременным уменьшением ТКС.

Указанная цель достигается тем, 10 что резистивный материал для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия дополнительно содержит окись >s кадмия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.r.:

Х ром 12-40

Железо 1-10

Алюминий 10-20 го

Окись кадмия 2-15

Смесь окислов кремния и алю" миния Остальное

Вводимая в предлагаемый резистив- 25 ный материал окись кадмия смещает

Средние зна чения велиДиапазон полученных значений ТКС

10 1/С

Алюминий

Хром Железо

Окись кадмия

Смесь чин поверхностного со противления резистивных пленок окислов кремния и алюминия (кОмб ) 5 +16

15

15

+1- +25

-10- +30

15

50

Как видно из таблицы,резистивный материал может быть использован при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с малым уровнем ТКС.

Простота получения резистивного материала и его напыления на керамическом основании дают возможность его исполь- зования без дополнительных затрат в любом серийном производстве тонкопленочных резисторов, где используются методы вакуумно-термического напыления.

Формула изобретения

55 Резистивный материал для высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия, о т л иИсходные компоненты, вес.3

Таким образом, предлагаемый резистивный материал для высокоомных тон5 4

ТКС получаемых резисторов в положительную область и за счет этого обеспечивается получение ТКС, близких к нулю и с положительным знаком для высокоомных резисторов с удельным поверхностным сопротивлением от 1 до

30 кОм/а (после отжига напыленных пленок в диапазоне температур 450—

600 С).

Предлагаемый резистивный материал представляет собой смесь порошков исходных компонентов с размером частиц до 60 мкм. Изготовление резисторов с использованием этого материала производится напылением его в ва-,. кууме на керамические основания, после чего полученные резистивные пленки отжигаются на воздухе.

Ниже приведены конкретные примеры приготовления резистивных материалов предлагаемого состава с различным со" держанием исходных компонентов, а также характеристики резистивных материалов (таблица). копленочных резисторов обладает технико-экономической эффективностью, так как дает возможность выпускать высокоомные прецизионные резисторы с малым ТКС. Предлагаемый резистивный материал находится на стадии внедрения в производство.

12-40

1-10

10-20

Хром

Железо

Алюминий

5 924765

6 ч а ю шийся тем, что, с целью Окись кадмия 2-15 расширения диапазона удельных поверх- Смесь окислов .ностных сопротивлений резисторов в кремния и алювысокоомную сторону и уменьшения ТКС, миния Остальное он дополнительно содержит окись кад- Источники инФормации, мия при следующем количественном со принятые во внимание при экспертизе отношении компонентов, вес.3: Авторское свидетельство СССР

)Г 520628, кл. H 01 С 7/00, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

to по заявке М 2778023/21, кл. Н 01 С 7/00, (прототип), Составитель Б. Литваковский

Редактор Ю. Середа Техреду Ж. Кастелевич Корректор." дзятко

Заказ 2829/70 Тираж 758 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-.35 Раушская наб. а. 4/5

4 » «»« «4»

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4