Способ рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов

Способ рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 19.01.81 (21) 3235561/18-25

Р )М К з

G 01 N 23/20 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 548. 73 (088.8) Опубликовано 15,08.82.Бюллетень ¹ 30

Дата опубликования описания 15.08.82 (72) Авторы изобретения

С.А. Адамян и П.A. Безирганян (71) Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени Ерева государственный университет (54) СПОСОБ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к рентгеновским исследованиям структурного совершенства монокристаллов, а более конкретно — пьезоэлектрических кристаллов.

Известен эффект памяти в монокристаллах кварца,. заключающийся в том, что при облучении монокристалла кварца рентгеновским излучением в условиях приложения к нему электриче-. ского поля интенсивность дифракционной линии возрастает. Этот эффект ранее не использовался при исследованиях структурного совершенства пьезоэлектрических кристаллов $1) .

Известны способ рентгеновской топографии кристаллов, заключающиеся в.облучении под брегговским углом исследуемого кристалла узким пучком рентгеновского излучения и регистрации в геометрии "на просвет" дифрагированного различными участками кристалла излучения X .

Чувствительность этого метода зависит в значительной мере от контраста получаемой картины, который в некоторых случаях бывает недостаточен.

Наиболее близким техническим решением является способ рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов, заключающийся в облучении под брегговским углом исследуе5 мого кристалла узким пучком рентгеновского излучения и регистрации в геометрии "на просвет" дифрагированного различными участками кристалла излучения в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля $3J .

Известный способ не обеспечивает все возможности повышения контраста получаемых топограмм.и, следовательно, повышения чувствительности иссле"

1 5 дов ания.

Цель изобретения — повышение чувствительности.

Поставленная цель достигается тем, что в способе рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов., заключающемся в облучении под ,брегговским углом исследуемого кристалла узким пучком рентгеновского излучения и регистрации в геометрии

25 "на просвет" дифрагированного различными участками кристалла излучения в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля, исследуемый кристалл предварительно

ЗО облучают по всей исследуемой поверх951129

Составитель К.Кононов

Редактор Т. ПаРфенова Техред М.Рейвес Корректор И. Муска

Заказ 5934/47 Тираж 887 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП ".Патент", r.Óæãoðoä, ул.Проектная, 4 ности рентгеновским излучением в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля.

Сущность изобретения заключается в следующем.

При облучении кристаллов кварца рентгеновским излучением в условиях воздействия постоянного электрического поля и последующей съемке рентгеновской топограммы было обнаружено, что в реальных кристаллах 10 интенсивность изображения дефектов увеличивается намного больше, чем общий фон рефлекса (общая интенсивность рефлекса), т.е. увеличивается контоаст изображения дефектов. 15

Способ реализуют. следующим образом.

К исследуемому пьезоэлектрическому кристаллу, например кристаллу кварца, прикладывают постоянное электрическое поле и облучают расходящимся пучком. рентгеновского излучения в течение некоторого периода времени.

Затем производят получение рентгеновской топограммы одним из известных методов, например методом Ланга, в условиях приложения к кристаллу постоянного- электрического поля.

Полученные данным способом топограммы обладают существенно большим контрастом, нежели полученные тради- 30 ционными методами, что позволяет повысить чувствительность с точки зреР ния выявлейия Дефектов кристалли"ecKoA структуры пьезоэлектрических кристаллов.

Формула изобретения

Способ рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов, заключающийся в облучении под брегговским углом исследуемого кристалла узким пучком рентгеновского излучения и регистрации в геометрии "на просвет" дифрагированного различными участками кристалла излучения в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, кристалл предварительно облучают по всей исследуемой области рентгеновским излучением в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Лапин Е.Г. и др. Эффект пьеэоквазимозаичности при дифракции рентгеновского излучения. АН СССР, ЛИЯФ.им. Б.П.Константинова, Л., 9 250, июль 1976, с. 23-25.

2, Кониной lO.A. Кудин В.Д.

Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов.

М, "Энергия", 1973, с. 113-119.

3. Авторское свидетельство СССР по заявке Р 2989163/18-25, кл. 6 01 N 23/20, 1980 (прототип).