Фоторезист для сухой вакуумной фотолитографии

Фоторезист для сухой вакуумной фотолитографии

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<> ii 983835 ( (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (54)NL. Кл.

Н 01 1. 21/02 (22) Заявлено 16.04.79 (2l ) 2767 164/1S-10 с присоединением заявки №вЂ”

Ркударстееииый коюитет

СССР ио делаю иаабретеиий и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 23.12.82. Бюллетень ¹ 47

Дата опубликования описания 23;12.82 (53) ф(ДК 621.382. .002(088.8) (72) Авторы изобретения

T, H. Мартынова, В. П. Корчков, В. И. ый - и Я.-И; -Точицк

f Ф

1 (7I ) Заявитель Институт неорганической химии Сибирс (54) ФОТОРЕЗИСТ ДЛЯ СУХОЙ ВАКУУМНОЙ

ФОТОЛИТОГРАФИИ

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве интегральных микросхем.

Известны кремнийорганические соединения, которые используют в методе сухой электронолитографии,,.Метод сухой электронолитографии сводится к следующему: на подложку наносят с помощью вакуумного термического испарения. чувствительный слой, облучают слой электронным. лучом, удаляют необлученные участки слоя реиспарением в вакууме 1 ) .

Недостатком, известных веществ, используемых в качестве материала чувствительного слоя, является их нечувствительность к ультрафиолетовому излучению, что не позволяет реализовать метод сухой фотолитографии.

Бель изобретения — реализация метода сухой фотолитографии.

Эта цель достигается применением р --дикетонатов редкоземельных элементов обшей формулы (СвНсоО2гЪФе, где

Ме — редкоземельный элемент ряда 4са, Hd, ТЬ, 4е, в качестве фоторезисте з при сухой вакуумной фотолитографии.

Применение в качестве фоторезиста р-дикетонатов редкоземельных элементов позволяет осуществить следующий процесс о сухой фотолитографии. На предварительно очищенную стандртным методом полупроводниковую, диэлектрическую или металлическую подложку напыляют в вакууме прн давлении 8- 10 — 10 мм рт. ст. слой -дикетонатов редкоземельных элементов. Температуру испарения поддерживают в пределах 170 — 200 С в зависимости от состава исходного материала.

Полученные сплошные пленки толщиной

0,08 — 1 мкм экспонируют с использованием обычных осветительных средств, применяемых при фотолитографии. В результате воздействия светового потока на слой

3 98383 в нем формируется изображение за счет свойства предлагаемых материалов полимеризоваться под воздействием ультрафиолетового излучения.

Экспериментально установлено, что вре- мя облучения слоя составляет в среднем

2-5 мин. Наиболее чувствительным к действию облучения являются слои на основе р, -дикетоната церия. Изображение проявляют путем вакуумного термическо- 10

ro реиспарения, для чего подложку с пленкой выдерживают в том же вакууме в течение 0,5 - 2 мин при температуре 170200 С. Не подвергавшиеся воздействию облучения участки чувствительного слоя реиспаряются с поверхности подложки.

В результате приведенных эксперимен- . тов установлено, „что рельеф, полученный на пленках р --дикетонатов лантана и тербия, является наиболее контрастным. щ

5 4

Преимушеством предлагаемого изобр= тения является получение элементов субмикронных размеров без использования дорогостоящих электроннолучевых ус тановок за счет повышения чистоты процесса.

Формула изобретения

Применение р -дикетонатов редкоземельных элементов общей формулы (С8Н„, О Fa 3Me где- Me — редкоземельный элемент ряда,И, 143, ТЬ, Ge, в качестве фоторезиста при сухой вакуумной фотолитографии.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. К.5. SbovPdera, Advances

Gorn pv t er s еВС, Ь F. AP4, Ace Bernie pt 8ss, йе р Jort, 2, с. 137, 1962.

Составитель В, Шахунов

Редактор О. Бугир Техред M.Íeäü Корректор Н. Король

Заказ 9939/65 Тираж 761 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4