Мешковский И.К.
Изобретатель Мешковский И.К. является автором следующих патентов:
Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния
Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей, содержащий тетраэтоксисилан, воду и концентрированную соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества защиты от диффузии примесей III и V групп и защиты от диффузии щелочных металлов, он содержит пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония при следующем соотношении компонентов, мас....
1115631Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния
Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей III и V групп и щелочных металлов, содержащий тетраэтоксисилан, воду, концентрированную соляную кислоту и пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония, отличающийся тем, что, с целью сохранения стабильности свойств, он дополнительно содержит соль металла из группы лантанидов при следующем соотношении ко...
1246818Способ изготовления индикаторного элемента, чувствительного к парам полярных органических растворителей
Применение: способ может быть использован для определения концентрации паров полярных органических растворителей в газовых смесях, а также при изготовлении газоаналитических приборов, сигнализирующих об изменении концентрации этих растворителей. Сущность: на индикаторный элемент последовательно наносят гидрофобный адгезив и кристаллогидрат металла переходного ряда с последующим высушивани...
1797335Устройство для фокусировки при приеме-передаче радиоволн сантиметрового диапазона
Изобретение относится к конструированию направленных антенн, а конкретно - к конструированию устройств для фокусировки при приеме-передаче радиоволн сантиметрового диапазона. Техническим результатом является простота, технологичность и дешевизна изготовления, повторяемость характеристик и возможность массового производства. Устройство содержит диэлектрические элементы, соединенные в шароо...
2159487Устройство для формирования импульсов высокого напряжения ультракороткой длительности
Изобретение относится к технике формирования наносекундных и пикосекундных импульсов высокого напряжения. Техническим результатом является возможность формировать импульсы с амплитудой свыше 1 МВ (например, до 5 МВ) при одновременном обеспечении стабильности формирования их фронтов. Устройство содержит последовательно соединенные источник импульсного напряжения микросекундной длительности...
2199818