ВЕРХОДАНОВ С.П.

  ГЕТТЕР ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ УРОВНЯ ШУШВ кремниевых полупроводниковых устройств пленарного типа на основе нестихиометрических кремниевых соединений, отличающийся тем, что, с целью повьшения воспроизводимости и эффективности геттера используют соединения типаSIRX 1где R - металлоиды IV, V и VI групп периодической системы, преимущественно углерод или азот; значение X изменяют от 0,01 до 0,...

  СООЗ СОВЕТСКИХ СВМОМ .И . Р1..СПУБЛИН рц Н 01 L. 21/265 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР 1 (21) 2623094/25 (22) 01.06.78 (ч6) 15.07.92. Бюл. V 26 (72) Н.Н. Герасименко, В.В. Калиников, С. П. Верходанов, B. È. Федченко и С.А. Камбалин (53) 621.382.002 (088.8) . (56) Патент Великобритании 0 . 1203298,. кл. Н 1 К, опублик. 1970, . Патент Велико...

  ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО , содержащее по крайней мере два полевых транзистора с управляюпщми р-п-переходами, каждый из которых включает области стока, истока, канала , верхнего и нижнего затворов, отличающееся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости проходных вольт-амперных характеристик транзисторов, область канала каждого транзистора неравномерно легирована с градиент...

  СООЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК ..юл BCECGC3HA% ПИЕН?Н9 4 C) ф С) О "«» ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР 1 (21) 3411496/25 (22) 19 03. 82 (46) 15.07.92, Бюл. Н 26 (72) С.П. Верходанов и С.А. Камбалин (53) 621.387.,002 (088.8) .(56) Патент ClllA 3877054, кл. 357-29, опублик. 1974. Патент СЛА Ь" 3877055 кл. 357-?3, опублик. 19...

  Изобретение отноеитея к элект РОЙНОЙ технике, частности к планер ной технологии изготовления интегральных схем. Целью изобретения является повышение выхода годных интегральных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в контактные отверстия. Способ включает стандартные операции нанесения слоя ФСС и вскрытия в них контактных окон....