Способ формирования контактных отверстий к областям @ -типа интегральных схем

Способ формирования контактных отверстий к областям @ -типа интегральных схем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение отноеитея к элект РОЙНОЙ технике, частности к планер ной технологии изготовления интегральных схем. Целью изобретения является повышение выхода годных интегральных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в контактные отверстия. Способ включает стандартные операции нанесения слоя ФСС и вскрытия в них контактных окон. Отсутствие затекания ФСС обусловливается тем, что после изготовления контактных отверстий в слое ФСС подложку подвергают облучению ионами азота с энергией 20-80 хэВ и дозой 1 ,6-10 см. 1 табл. § а со со rsD сл

СООЗ СООЕТСКИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„.Я0„„1 1 2 (51)5 Н 01 Ь 21 265

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, 1 б

Ю у

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

Il0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ1Й (46) 15.07.92.Бюп. Ф 26 (21) 3841961/25

° (22) 07.01.85 (72) С.П.Верходанов, С.А.Камбалин, В.S.Ú òîý и В.Б.Эрмантраут (53) 621.382.002(088.8) (56) Патент Японии В 56-7308, кл. Н 01- Ь 29/72, 1981

Патент США р 4363830, «л. Н 01 Ь 21)283, 1982. (54) СПОСОВ ФОРИИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ

ОТВЕРСТИЙ K ОВЛАСТЯИ и-ТИПА ИНТЕ. ГРАЛЬНЫХ СХЕМ (57) Изобретение еткоситса к электровиой технике, а частности к планар» ной технологии изготовления интегральных схем. Целью изобретения является повышение выхода годных интегральных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в контактные отверстия. Способ включает стандартные операции нанесения слоя

ФСС и вскрытия в них контактных окон.

Отсутствие затекания ФСС обусловливается тем, что после изготовления контактных отверстий в слое ФСС подломку подвергают облучению ионами азота с энергией 20-80 кэВ и дозой 1 ° 10 2 6 10 см- . 1 табл.

Ф а

1 131325

Изобретение относится к электрон» ной гехннке, в частности к пленарной, технологии изготоиленнл интегральных схем.

Кель иэобретеннл - повышение выходя годных интегральных схем по кон:тактным отверстиям эа счет исключепил затекання фосфорно-силикатного стекла в контактные отверстия.

П р и и е р. Изготовляют тестовые 10 структуры, включающие набор контакт-: ных отверстий. Кремниевые подложки тяпа КДБ-20, содержащие в своем объе". ме набор р-и-переходов„ подвергают стандартt ой .химической обработке и затем териическому окислению так, чтобы над областлмн р-и-переходов был выращен окисел толщиной О, 1-0,2 мки.

Затеи »а подложки производят осаждение слоя фосфорно- сшшкатногс стекла (ФСС) методом газотранспортных реак-

ttttA толщиной U 5-1, 1 мкм с содержанием фосфора 2-97.. После этого с по. мощью фотолитографии и плаэмохнмичес25 кого травления в слое фосфорно-силикатного стекла над областями р-и-переходов вытравливают контактные атй верстил размером 10х10 или ЗхЗ мкм

При этом стравливаетсн и часть ниже". лежащего окисла. Удаляют маску и под" = " ложки подвергают облучению ионами азота в диапазоне энергий 15-100 кзВ и доэ 10 -5 10 си . Для сравне14 иил облучению подвергают только поЭнергия ионов

Параметр

Ю . * »«Ъ»»»»»» C»»»ЮЮ» G 10 10 4 ° 10

» ЮЬ » и ° »» азота, кзВ

5 10

« . »»

41 45

79 80

49

100

Отсутствие оплавленил

ФСС

Отношение выхода говлых контактньж 1, ь отверсти:И в % к доле еабраковалньж по затвкашпо контактных отв ерстка размероМ

ЗХЗ Мхм В % 50

7 2 лавину каждой подложки, в результате

liteоблученнал часть подложки изготавлннпс".тсл В соответствии с прототипом °

После облучения подложки отжнгаю и при 1000 С и течение 30 мин для оп лавленнл слоя ФСС.

Длл сравнения прототипа и предлагаемого способа на изготовленных таким образом подложках производят замеры иэиененил размеров полученных контактных отверстий (на 100 шт.) от раэиеров на маске (поскольку при ппаэиохииическом травле п и искажения

nptt передаче разиероп иаски в отверстил не происходит}. Выход годных подсчитываютт нз условия, что изменение размеров стороны контактного отверстия не должно превьзаать 107„ т.е. все отверстил, размеры которых отличались от размеров на маске более чем на IGK, считаются браком. При зтои длл отверстий размером ЗхЗ икм ото дельно находят количество брака по полному эатеканню.

Результаты по выходу годных контактных отверстий в слое ФСС толщиной 1,1 мкм представлены в таблице °

При этом длл меныш х толщин стекла результаты аналогичны и отличаются только абсолютными значениями выхода годных, Положительный же эффект имеет место при тех же параметрах ионна.го облучения.

-1

Доза ионов азота, см

100 100 Отсутствие оп»

1 0 лавления ФСС

10G ll00 Треска>в е слоя

0 0 ФСС

99 100

2 0

3 .13

Формула изобретения

Способ формирования контактных отверстий к областям и-типа интегральных схем, включающий осаждение слоя фосфорно-силикатного стекла .(фСС), формирование маски, травление

4СО, .удаление маски и отжиг .нри .теи-!

1ИИ 1 пературе плавления ФСС, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания ФСС в контактные отверстия, после удаления маски производят облучение ионами азота с энергией 2080 кзВ и дозой 1 !О -2 6 ° 10 см

Составитель В.устинов

Редактор Т.Иванова Техред А.Кравчук Корректор И.Куска б

4 4% аЭай аа %NO &w laa% Ю ЮЮНЮФЭ Ю ФОЮФВ аВЮВ

Заказ2822)ДСП Тираж 449 Подписное

ВНИИПИ Гоеударетвенйого комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва> Ж-35, Раушская наб., д. 4/5.

ЮЮЮ ЮВЮВ ВВ И Ю Ю Юе@ ° ВаВ 4ю ЮЮЮ ФВЮЮЮ

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.П;юектная, 4