PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ТИТОВ В.В.

Изобретатель ТИТОВ В.В. является автором следующих патентов:

Электрофотографический слой

Электрофотографический слой

  ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ СЛОЙ, состоящий из металлической подложкии электропроводящего материала на основе органического фотопроводника, полимерного связующего, отличающийся тем, что, с цепью увеличения фотопроводимости в видИ" мой области спектра в качестве органического фотопроводника использован 1,3-дистирилазулен, а в качестве полимерного связующего - кремнийорганическая смола,...

460807

Способ получения полиалконамеров

Способ получения полиалконамеров

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (и) 5226 10 (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 30.12.74 (21) 2089203/05 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано25.01.77.Бюллетень № 3 (45) Дата опубликования описания27.04.77 (51) М. Кл. С 08 F 32/04 Государственный комитет Совета Министров СССР по дел...

522610

Жидкокристаллический материал

Жидкокристаллический материал

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскиз Социалистических Республик

573030

6-(4 @ -алкилили 4 @ -алкоксифенил)-3-цианопиридины, обладающие жидкокристаллическими свойствами

6-(4 @ -алкилили 4 @ -алкоксифенил)-3-цианопиридины, обладающие жидкокристаллическими свойствами

  6- СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„SU„„666797 4(51) C 07 D 213/84// C 09 К 19/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPGKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ я- (o) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2493243/23-04 (22) 06.06.77 (46) 23.04.88. Бюл. Р 15 (72) А.И.Павлюченко, Н.И.Смирнова, Е.И.Ковшев и В.В.Титов (53) 547.821 (088.8) (56) Demus Н. et а1., Tlussi...

666797

5-алкил-2-(4-цианофенил)-пиридины в качестве жидких кристаллов

5-алкил-2-(4-цианофенил)-пиридины в качестве жидких кристаллов

  5-алкил-2- СООЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPGHOMY СВИДЕТЕЛВСТВУ Сп

675800


5-(4-алкилили алкоксифенил)-2-(4-цианофенил)-пиридины, обладающие жидкокристаллическими свойствами

5-(4-алкилили алкоксифенил)-2-(4-цианофенил)-пиридины, обладающие жидкокристаллическими свойствами

  .5- СОЮЗ COBETCHHX СОЦИАЛИСТИ4ЕСНИХ РЕСПУБЛИК „„SU,,„713153 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Спн 2п 1 лб ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2658150/23-.04 (22) 09.08.78 (46) 30.05.85. Бюл. N ?0 (72) А, И. Павлмченко Н, И. Смирнова, Е. И. Ковшов, В. В, Титов и М. Ф. Гребенкин (53) 532.783 (088.8) (56) 1. Gray G. W., Lig. Cryst....

713153

Жидкокристаллический материал

Жидкокристаллический материал

  1. ШЩКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИП МАТЕРИАЛ, состоящий из жидкокристаллической матрицы и дихроичного красителя, отличающийся тем, что, с целью повышения цветового контраста и расширения переключения цвета с желто-оранжевого СОЮЗ СОНЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН 4Р!) С 09 К 3/34 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ И ABTGPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ N=- CHAv l (21) 2967844/23-04 (22) 31.07.80 (46) 07.06...

951856

Жидкокристаллический материал для электрооптических устройств

Жидкокристаллический материал для электрооптических устройств

  ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ, включающий жидкокристаллическое вещество с положительной диэлектрической анизотропией и -вещество, повьшакнцее температуру прояснения, о тл и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью снижения управляющгах напряжений и расширения интервала существования нематической мезофазы., и качестве вещества с положительной диэлектрическ...

1063100

Производные антрахинона как дихроичные красители для жидкокристаллических материалов,жидкокристаллический материал и электрооптическое устройство

Производные антрахинона как дихроичные красители для жидкокристаллических материалов,жидкокристаллический материал и электрооптическое устройство

  Производные антрахинона общей формулы I В. где А Б-кДХ, А Г-КДХ, А В-КДХ,-Б-Н, А В-ЯДХ, Б Г-К2ЕУ; , Г-Н; A B-B-r-RДХ, , , , Г-К2ЕУ, , , в-Н; , Б-Н, , Б В к2ЕУ-, Г-Н; А -ЕДХ, , , , В Г Д2ЕУ; А Г-КДХ, , В-Н; А Г-КДХ, Б В К2ЕУ; . А В-ЯДХ, , Г-Б; (О А В-КДХ, , Г-Я2-ЕУ, в которых X - атом кислорода, группа Н или R3; Д - группа -G-G-; -.-Гх. R - Gц.-G J-aлкил; У - атом кислорода или гр...

1089084

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства

  ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИН/УОЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку проводимости, в приповерхностном слое которой расположены три области л-типа проводимости, на поЕзерхности полупроводниковой подложки расположены первый и второй диэлектрические слои с мастичным перекрытием первой и третьей областей проводимости, третий диэлектрический слой расположен между п...

1159447


Лазерное устройство для эндоскопической деструкции ткани

Лазерное устройство для эндоскопической деструкции ткани

  ЛАЗЕРНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭНДОСКОПИЧЕСКОЙ ДЕСТРУКЦИИ ТКАНИ, содержащее канал освещения, канал наблюдения и рабочий канал, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности .эндокардиальной линейной деструкции на закрытом сердце, оно дополнительно снабжено прозрачным эластичным баллончиком , насадкой на рабочем конце и каналом подачи иммерсионной.жидкости . (Л 05 сл 4: 2 СО...

1170654

Жидкокристаллический материал для электрооптических устройств

Жидкокристаллический материал для электрооптических устройств

  Изобретение касается жидкокристаллических материалдов (ЖКМ) для электрооптических устройств и может быть использовано для обработки информации , в качестве индикаторов, панри- Meps в панелях автомобилей, дисплеев автономных измерительных приборов, Для снижения нижнего предела рабочих температур в состав ЖКМ вводят другие нематические жидкокристаллические вещества (riMK) - от 1 до...

1302684

Способ формирования контактных отверстий к областям @ -типа интегральных схем

Способ формирования контактных отверстий к областям @ -типа интегральных схем

  Изобретение отноеитея к элект РОЙНОЙ технике, частности к планер ной технологии изготовления интегральных схем. Целью изобретения является повышение выхода годных интегральных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в контактные отверстия. Способ включает стандартные операции нанесения слоя ФСС и вскрытия в них контактных окон....

1313257

Способ изготовления мдп-транзисторов

Способ изготовления мдп-транзисторов

  Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов. Цель изобретения - повышение выходагодных МДП-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков. Способ включает формирование на кремниевой подложке первого слоя оксида кремния, формирование маски из нитрида кремния, формирование областей полевого...

1473633

Способ изготовления перепрограммируемого элемента памяти

Способ изготовления перепрограммируемого элемента памяти

  Изобретение откосится к микроэлектронике и может быть использова но при-изготовлении пол шроводнико- .вых приборов и интегральных микро- . схем. Цель изобретения - повышение быстродействия и помехоустойчивости элемента памяти. Для этого цель в процессе изготовления элемента памяти наноснт третий слой поликремния, проводят окисленр е третьего слоя поликремния с образованием пятого...

1496524