ТИТОВ В.В.
Изобретатель ТИТОВ В.В. является автором следующих патентов:
Электрофотографический слой
ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ СЛОЙ, состоящий из металлической подложкии электропроводящего материала на основе органического фотопроводника, полимерного связующего, отличающийся тем, что, с цепью увеличения фотопроводимости в видИ" мой области спектра в качестве органического фотопроводника использован 1,3-дистирилазулен, а в качестве полимерного связующего - кремнийорганическая смола,...
460807Способ получения полиалконамеров
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (и) 5226 10 (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 30.12.74 (21) 2089203/05 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано25.01.77.Бюллетень № 3 (45) Дата опубликования описания27.04.77 (51) М. Кл. С 08 F 32/04 Государственный комитет Совета Министров СССР по дел...
522610Жидкокристаллический материал
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскиз Социалистических Республик
5730306-(4 @ -алкилили 4 @ -алкоксифенил)-3-цианопиридины, обладающие жидкокристаллическими свойствами
6- СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„SU„„666797 4(51) C 07 D 213/84// C 09 К 19/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPGKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ я- (o) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2493243/23-04 (22) 06.06.77 (46) 23.04.88. Бюл. Р 15 (72) А.И.Павлюченко, Н.И.Смирнова, Е.И.Ковшев и В.В.Титов (53) 547.821 (088.8) (56) Demus Н. et а1., Tlussi...
6667975-алкил-2-(4-цианофенил)-пиридины в качестве жидких кристаллов
5-алкил-2- СООЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPGHOMY СВИДЕТЕЛВСТВУ Сп
6758005-(4-алкилили алкоксифенил)-2-(4-цианофенил)-пиридины, обладающие жидкокристаллическими свойствами
.5- СОЮЗ COBETCHHX СОЦИАЛИСТИ4ЕСНИХ РЕСПУБЛИК „„SU,,„713153 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Спн 2п 1 лб ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2658150/23-.04 (22) 09.08.78 (46) 30.05.85. Бюл. N ?0 (72) А, И. Павлмченко Н, И. Смирнова, Е. И. Ковшов, В. В, Титов и М. Ф. Гребенкин (53) 532.783 (088.8) (56) 1. Gray G. W., Lig. Cryst....
713153Жидкокристаллический материал
1. ШЩКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИП МАТЕРИАЛ, состоящий из жидкокристаллической матрицы и дихроичного красителя, отличающийся тем, что, с целью повышения цветового контраста и расширения переключения цвета с желто-оранжевого СОЮЗ СОНЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН 4Р!) С 09 К 3/34 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ И ABTGPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ N=- CHAv l (21) 2967844/23-04 (22) 31.07.80 (46) 07.06...
951856Жидкокристаллический материал для электрооптических устройств
ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ, включающий жидкокристаллическое вещество с положительной диэлектрической анизотропией и -вещество, повьшакнцее температуру прояснения, о тл и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью снижения управляющгах напряжений и расширения интервала существования нематической мезофазы., и качестве вещества с положительной диэлектрическ...
1063100Производные антрахинона как дихроичные красители для жидкокристаллических материалов,жидкокристаллический материал и электрооптическое устройство
Производные антрахинона общей формулы I В. где А Б-кДХ, А Г-КДХ, А В-КДХ,-Б-Н, А В-ЯДХ, Б Г-К2ЕУ; , Г-Н; A B-B-r-RДХ, , , , Г-К2ЕУ, , , в-Н; , Б-Н, , Б В к2ЕУ-, Г-Н; А -ЕДХ, , , , В Г Д2ЕУ; А Г-КДХ, , В-Н; А Г-КДХ, Б В К2ЕУ; . А В-ЯДХ, , Г-Б; (О А В-КДХ, , Г-Я2-ЕУ, в которых X - атом кислорода, группа Н или R3; Д - группа -G-G-; -.-Гх. R - Gц.-G J-aлкил; У - атом кислорода или гр...
1089084Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИН/УОЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку проводимости, в приповерхностном слое которой расположены три области л-типа проводимости, на поЕзерхности полупроводниковой подложки расположены первый и второй диэлектрические слои с мастичным перекрытием первой и третьей областей проводимости, третий диэлектрический слой расположен между п...
1159447Лазерное устройство для эндоскопической деструкции ткани
ЛАЗЕРНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭНДОСКОПИЧЕСКОЙ ДЕСТРУКЦИИ ТКАНИ, содержащее канал освещения, канал наблюдения и рабочий канал, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности .эндокардиальной линейной деструкции на закрытом сердце, оно дополнительно снабжено прозрачным эластичным баллончиком , насадкой на рабочем конце и каналом подачи иммерсионной.жидкости . (Л 05 сл 4: 2 СО...
1170654Жидкокристаллический материал для электрооптических устройств
Изобретение касается жидкокристаллических материалдов (ЖКМ) для электрооптических устройств и может быть использовано для обработки информации , в качестве индикаторов, панри- Meps в панелях автомобилей, дисплеев автономных измерительных приборов, Для снижения нижнего предела рабочих температур в состав ЖКМ вводят другие нематические жидкокристаллические вещества (riMK) - от 1 до...
1302684Способ формирования контактных отверстий к областям @ -типа интегральных схем
Изобретение отноеитея к элект РОЙНОЙ технике, частности к планер ной технологии изготовления интегральных схем. Целью изобретения является повышение выхода годных интегральных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в контактные отверстия. Способ включает стандартные операции нанесения слоя ФСС и вскрытия в них контактных окон....
1313257Способ изготовления мдп-транзисторов
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов. Цель изобретения - повышение выходагодных МДП-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков. Способ включает формирование на кремниевой подложке первого слоя оксида кремния, формирование маски из нитрида кремния, формирование областей полевого...
1473633Способ изготовления перепрограммируемого элемента памяти
Изобретение откосится к микроэлектронике и может быть использова но при-изготовлении пол шроводнико- .вых приборов и интегральных микро- . схем. Цель изобретения - повышение быстродействия и помехоустойчивости элемента памяти. Для этого цель в процессе изготовления элемента памяти наноснт третий слой поликремния, проводят окисленр е третьего слоя поликремния с образованием пятого...
1496524