КАМБАЛИН С.А.

  СООЗ СОВЕТСКИХ СВМОМ .И . Р1..СПУБЛИН рц Н 01 L. 21/265 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР 1 (21) 2623094/25 (22) 01.06.78 (ч6) 15.07.92. Бюл. V 26 (72) Н.Н. Герасименко, В.В. Калиников, С. П. Верходанов, B. È. Федченко и С.А. Камбалин (53) 621.382.002 (088.8) . (56) Патент Великобритании 0 . 1203298,. кл. Н 1 К, опублик. 1970, . Патент Велико...

  СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИИА1а и1Й ЭЛЕМЕНТ НА МДП-СТРУКЛШЩ . БИ6ЛИОТЕКД ТУРАХ, основанный на инжекции основного йаряда путем подачи напряжения на диэлектрик МДП-транзистора, о тл ич а ю щи йс я тем, что, с целью повышения надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной информации, осу1чествляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэл...

  СООЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК ..юл BCECGC3HA% ПИЕН?Н9 4 C) ф С) О "«» ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР 1 (21) 3411496/25 (22) 19 03. 82 (46) 15.07.92, Бюл. Н 26 (72) С.П. Верходанов и С.А. Камбалин (53) 621.387.,002 (088.8) .(56) Патент ClllA 3877054, кл. 357-29, опублик. 1974. Патент СЛА Ь" 3877055 кл. 357-?3, опублик. 19...

  ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ М ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИИА1111 :ГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводникову э подложку, на. которой размещен первый диэлектрическ 1й слой 5 выполненный из двуокиси кремния толщиной; А, вторюй диэлектрический слой из нитрида кремния , разманенный на первом диэлектрическом слое, третий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной. 10-30 А, и проводящий слой, отличающ...

  ССМОЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК (у1) С 11 С 11/40 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К А BTGPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ 1lPH fl+IT СССР 1 (21) 3474868/24 (22) 22. 07, Ð>2 (46) 15 ° 07.92. Бюл. М 26 (72) R.А. Гриценко, С.А, Камбалин и Е.Е. Меерсон (53) 681,327.66 (088.8) (56) Патент СНА М 3590337 кл. 357-23, опублик. 1971 Патент Ан...

  1. Элемент памяти для постоянного запоминакнцёго устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа провод 1ости, в приповерхностном слое которой расположены лиффузиониые области второго типа проводимости на поверхности полупроводниковой подложки размещены диэлектрические области с частичным перекрытием одних краев диффузионных областей второго типа проводимости, на п...

  ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИН/УОЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку проводимости, в приповерхностном слое которой расположены три области л-типа проводимости, на поЕзерхности полупроводниковой подложки расположены первый и второй диэлектрические слои с мастичным перекрытием первой и третьей областей проводимости, третий диэлектрический слой расположен между п...

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОПСТРУКТУР . включающий химическую обработку полупроводниковой подложки, промывку ее в деиониэованной воде, последовательное формирование в реакторе слоИзобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления структур, применяемых при изготовлении МНОП-транзисторов в дискретном или интегральном исполнении. Структуры кремний-двуокись...

  Изобретение отноеитея к элект РОЙНОЙ технике, частности к планер ной технологии изготовления интегральных схем. Целью изобретения является повышение выхода годных интегральных схем по контактным отверстиям за счет исключения затекания фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в контактные отверстия. Способ включает стандартные операции нанесения слоя ФСС и вскрытия в них контактных окон....