Васильева Л.Л.

 Способ обработки поверхности полупроводников, например германия, соединениями серы при температуре 430 - 450oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса сульфидирования, поверхность германия подвергают воздействию безводного сероводорода.

 Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450oC.

 Способ получения слоев диоксида кремния окислением моносилана SiH4 кислородом O2 в изотермическом проточном кварцевом реакторе при парциальных давлениях моносилана 0,05 - 0,5 мм рт.ст. и соотношении внутренней поверхности реактора в зоне осаждения к объему 1 - 3 см-1, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса за счет увеличения скорости роста слоев и улучшения к...

 Использование: технология получения полупроводниковых приборов, производство твердотельных газовых датчиков диоксида серы. Сущность изобретения: модифицированные слои диоксида кремния получают в изотермических условиях в присутствии паров органических соединений, содержащих аминогруппы. Слои могут быть сформированы и модифицированы одновременно при температуре 120-200oC. общем давлении 0,...

 Изобретение относится к способу получения D-эстра-1,3,5(10)-триен-3-ол-17-она (эстрона). Способ включает в себя восстановительную ароматизацию 17-этиленкеталя андроста-1,4-диен-3,17-диона путем его введения в реакционную смесь, содержащую металлический натрий и дифенил в диглиме при повышенной температуре, и последующий кислотный гидролиз, причем 17-этиленкеталь андроста-1,4-диен-3,17-дио...