ПАШКОВСКАЯ ГАЛИНА ИВАНОВНА
Изобретатель ПАШКОВСКАЯ ГАЛИНА ИВАНОВНА является автором следующих патентов:
![Материал для электроискрового легирования в магнитном поле Материал для электроискрового легирования в магнитном поле](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5db088303f5834825aad4a55044382db.jpg)
Материал для электроискрового легирования в магнитном поле
3. Г. Карасева, А. С. Якимов, Л. А. Марьеико, Г. B. Гудков " и Г. И. Пашковская (72) Авторы изобретения (71) Заявитель Всесоюзный научно-исследовательский и проектно-технологический 1 институт горного машиностроейМг---(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРОИСКРОВОГО ЛЕГИРОВАНИЯ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ Изобретение относится к электрофиэическим и электрохимическим методам обработки, в частности к...
884931![Состав для магнитоэлектрического упрочнения Состав для магнитоэлектрического упрочнения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/66d392d6766637e57451d6f7e85e1f1f.jpg)
Состав для магнитоэлектрического упрочнения
О П И С А Н И Е (п)933800 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистическмк Республик Ф 1 . «- к гато! скомь свидит!:.льствь (6! ) Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено14. 11. 80 (21) 3005125/22-02 с присоединеннеетзаявки %(23.} П рноритет Опубликовано 07 ° 06 82 ° Бюллетень М 21 Дата опубликования описания 07.06.82 (5! )М. Кл. С 23 С 9/04 Гоеударстмнный комитет СССР (53...
933800