КОЛЫЧЕВ А.И.

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРПВПДНИКПВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования элементов .структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытия контактных областей к элементам структуры, осуществления металлизированной разводки , формирования разделительных канавок, нанесение защитной диэлект рической пленки и вскрытия окон в ней, о...

  СПОСПБ ИЯГОТПВЛЕНИЛ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРПВПЛНИКПВЫХ ПРИБОРОВ,включающий операции формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке С маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытие контактных областей к элементам структуры, формирование металлизированной разводки и канавок разделительной изоляции , нанесение защитного диэлектрического покрытия на рельефную поверхность...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование элементов структуры в кремниевой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, вскрытие контактных окон, нанесение металла, формирование металлизированной разводки с использованием фоторезистивной маски, удаление фоторезистивной маски, надрезание структуры на глубину не боле...

  ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА, содержащая подложку с элементами структуры и с маскируюи1им их диэлeкt римеским покрытием, токопроводящую рааводку с металлизированными контактами , расположенными на токопроводящей разводке, пассивирующее пиэлектрическое покрытие, в котором над металлизированными контактами выполнены окна и приваренные к металлизированным KOHtaKTaM проводники, отлича...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН,(Я)5 С 22 С 21/10. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (21) 4152586/23-02 (22) 27, 11, 86 46) 15.10.90. Бюл. Р 38 .72) JI.ß.Беленький, А.В.,Волков, А.N.Большова, В.Д.Мутовин, Г.И.Ивкова, А.И.Колычев, В.И.Бойко и В,И.Фролов (53) 669.71 5(088.8) (56) Моряков О.С. Сварка и пайка в полупроводниковом произ...

  Изобретение относится к микроэлектронике , в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с многоуровневой металлизацией. Способ позволяет повысить надежность полупроводниковых структур путем исключения проводящих дефектов в диэлектрическом покрытии, формируемом между двумя уровнями металлизации . Для достижения цепи после нанесения нижнего слоя алюминия и литог...

  СОЮЗ СОВЕ ТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)5 C 22 C 21/TO AВТОРСИОМУ СВ < ( ( (В л ( (н P п р н з P н б т Г СУДАРСТВЕННЫЙ Н0МНТЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬП ИЯ И ГКНТ СССР 6) 30.07.92.Бюл. М- 28 1) 4445231/02 2) 20,06.88 2) А.В. Волков, Л.Я. Беленький, Д. Мутовки, 10.Д. Чистяков, А.И.Колчев и В.И. фролов 3) 669;715(088.8) 6) Авторское свидетельство, СССР 1453934, кл...