ПОЛЯКОВ ИГОРЬ ВАСИЛЬЕВИЧ

  УСИЛИТЕЛЬ СЧИТЫВАНИЯ, содержащий первый и второй активные транзисторы первого типа проводимости, затвор каждого из которых соединен со стоком другого активного транзистора, а истоки - с общей щиной, первый и второй Л7 нагрузочные транзисторы второго типа проводимости , стоки которых соединены со стоками соответствующих активных транзисторов , а затворы - соответственно с первой и...

  (19) (11) СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН ((61) 0 11 С 8/00 ЫййО) 6и ! ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCHOIVlY СВИДЕТЕЛЪСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3484920/18-24 (22) 12.08.82 (46) 15.09.84. Бюл. )) 34 (72) И.В.Поляков и Н.Г.Григорьев (53) 681.327.66(088.8) (54)(57) 1. ДЕШИФРАТОР НА ИДПТРАНЗИСТОРАХ, содержащий элементы ИЛИ-Н...

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля надежности микросхем (МС) памяти. Способ реализуется следующим образом. На МС 1 подают электрические импульсы (И) от генератора 2, соответствующие определенной тестовой последовательности. С помощью блока 3 регистрации контролируется работоспособность МС сравниванием И от генератора 2 с выходными...

  Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к оперативным запоминающим устройствам с самоконтролем, и может быть использовано при создании последних в интегральном исполнении. Целью изобретения является упрощение и повышение быстродействия устройства. Устройство содержит накопитель с разрядными шинами информационного и контрольного разрядов, основные и дополнительн...

  Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на КМДП-транзисторах. Целью изобретения является расширение области применения усилителя за счет возможности прохождения записываемой информации на выходы, сохранение считанной информации при изменении напряжения на разрядных шинах. Усилитель содержит транзисторы записи P-типа, пере...

  Использование: полупроводниковая микрофотоэлектроника, регистрация видимого оптического излучения. Сущность изобретения: фототранзистор выполнен в тонком полупроводниковом слое на изолированной подложке и содержит ласти стока и истока с контактами к ним, р-область канала, над которой расположен изолированный слоем диэлектрика управляющий электрод, соединенный с источником опорног...