Гудков А.Л.
Изобретатель Гудков А.Л. является автором следующих патентов:

Сверхпроводниковый пленочный логический элемент
Сверхпроводниковый пленочный логический элемент, содержащий экран, два изолированных от него сверхпроводящих электрода, расположенные над ними и соединенные распределенным джозефсоновским контактом, подводящие шины, подсоединенные к средней части электродов, и по крайней мере одну управляющую шину, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления и расширения функциональных возможнос...
1208986
Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода
Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода, содержащего два сверхпроводящих электрода, разделенных зазором, включающий последовательное нанесение на несверхпроводящую подложку первой пленки сверхпроводящего материала и пленки маскирующего материала, формирование контактной маски, формирование ионным травлением первого сверхпроводящего электрода, формирование на его торце бу...
1391391
Сверхпроводниковый регистр сдвига
Сверхпроводниковый регистр сдвига, содержащий подложку, на поверхности которой расположены основные сверхпроводящие электроды, соединенные друг с другом посредством основных двухконтактных интерферометров, образующих основную периодическую структуру ячеек, и основную шину управления, индуктивно связанную с указанными ячейками, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возмо...
1445483
Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью
1. Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью, содержащий сверхпроводящие электроды, соединенные прослойкой из аморфного полупроводника, легированного примесью до вырождения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров перехода, в качестве легирующей примеси использованы кластеры из сверхпроводящего материала.2. Джозефсоновский переход с непосредственной...
1544124
Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью
Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью, включающий последовательное нанесение на подложку в едином вакуумном цикле сверхпроводящей пленки нижнего электрода, аморфной полупроводниковой пленки, легирование ее до вырождения на всю толщину атомами материала верхнего электрода, нанесение сверхпроводящей пленки верхнего электрода и формирование площади пе...
1570580