PatentDB.ru — поиск по патентным документам

УЛЬЯНОВ ВАЛЕРИЙ АНДРЕЕВИЧ

Изобретатель УЛЬЯНОВ ВАЛЕРИЙ АНДРЕЕВИЧ является автором следующих патентов:

Способ определения остаточных напряжений в объекте из диэлектрического материала

Способ определения остаточных напряжений в объекте из диэлектрического материала

  Изобретение относится к электрическим методам исследования остаточных напряжений в монои поликристаллах и может быть использовано для определения локальных остаточных напряжений в диэлектрических материалах, в том числе материалах с повышенной хрупкостью или непригодных для оптических методов исследования , напряжений . Цель изобретения - измерение распределения напряжений по пов...

1404799

Способ определения остаточных напряжений в объектах

Способ определения остаточных напряжений в объектах

  Изобретение относится к области измерительной техники и может использоваться при определении распределенных остаточных напряжений в объекте. Целью изобретения является снижение трудоемкости и расширение функциональных возможностей за счет определения остаточных напряжений в оптически активных областях. Способ заключается в том, что исследуемый объект с компенсатором помещают между...

1534341

Способ определения остаточных напряжений в объектах из поликристаллических материалов

Способ определения остаточных напряжений в объектах из поликристаллических материалов

  Изобретение относится к экспериментальным методам определения механических напряжений в прозрачных кристаллических материалах и может быть использовано в квантовой электронике и оптоэлектронике. Целью изобретения является повышение эффективности путем определения напряжений в областях, имеющих пониженную кристаллографическую симметрию. Для этого на поверхность объекта помещают мат...

1543258

Способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах

Способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах

  Изобретение относится к экспериментальным методам исследования дефектов структуры в прозрачных кристаллических материалах и может быть использовано в квантовой электронике, оптоэлектронике и лазерной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей путем визуализации различных дефектов структуры и неоднородностей, создающих поле остаточных напряжений в п...

1721475

Способ определения распределения неоднородностей структуры кристалла

Способ определения распределения неоднородностей структуры кристалла

  Использование: технологический контроль в электрооптике. Сущность изобретения: определяют для каждого элемента поверхности кристалла зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности поля в диапазоне от Е 0 до Е U пробивное в диапазоне частот от 50 Гц и менее, определяют точки перегиба характеристик , строят зависимость значения напряженности поля точек перегиба от часто...

1772711