УЛЬЯНОВ ВАЛЕРИЙ АНДРЕЕВИЧ
Изобретатель УЛЬЯНОВ ВАЛЕРИЙ АНДРЕЕВИЧ является автором следующих патентов:
Способ определения остаточных напряжений в объекте из диэлектрического материала
Изобретение относится к электрическим методам исследования остаточных напряжений в монои поликристаллах и может быть использовано для определения локальных остаточных напряжений в диэлектрических материалах, в том числе материалах с повышенной хрупкостью или непригодных для оптических методов исследования , напряжений . Цель изобретения - измерение распределения напряжений по пов...
1404799Способ определения остаточных напряжений в объектах
Изобретение относится к области измерительной техники и может использоваться при определении распределенных остаточных напряжений в объекте. Целью изобретения является снижение трудоемкости и расширение функциональных возможностей за счет определения остаточных напряжений в оптически активных областях. Способ заключается в том, что исследуемый объект с компенсатором помещают между...
1534341Способ определения остаточных напряжений в объектах из поликристаллических материалов
Изобретение относится к экспериментальным методам определения механических напряжений в прозрачных кристаллических материалах и может быть использовано в квантовой электронике и оптоэлектронике. Целью изобретения является повышение эффективности путем определения напряжений в областях, имеющих пониженную кристаллографическую симметрию. Для этого на поверхность объекта помещают мат...
1543258Способ визуализации дефектов структуры в кристаллических объектах
Изобретение относится к экспериментальным методам исследования дефектов структуры в прозрачных кристаллических материалах и может быть использовано в квантовой электронике, оптоэлектронике и лазерной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей путем визуализации различных дефектов структуры и неоднородностей, создающих поле остаточных напряжений в п...
1721475Способ определения распределения неоднородностей структуры кристалла
Использование: технологический контроль в электрооптике. Сущность изобретения: определяют для каждого элемента поверхности кристалла зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности поля в диапазоне от Е 0 до Е U пробивное в диапазоне частот от 50 Гц и менее, определяют точки перегиба характеристик , строят зависимость значения напряженности поля точек перегиба от часто...
1772711