Способ определения остаточных напряжений в объектах из поликристаллических материалов

Способ определения остаточных напряжений в объектах из поликристаллических материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к экспериментальным методам определения механических напряжений в прозрачных кристаллических материалах и может быть использовано в квантовой электронике и оптоэлектронике. Целью изобретения является повышение эффективности путем определения напряжений в областях, имеющих пониженную кристаллографическую симметрию. Для этого на поверхность объекта помещают матрицу одинаковых шариков, изготовленных из одноосного кристалла, оптическая ось которых перпендикулярна поверхности объекта, фотографируют объект в поляризованном свете, по виду и величине искажений ветвей изогир судят о распределении напряжений и областей с пониженной симметрией. Остаточные напряжения в областях с пониженной симметрией определяют путем поворота анализатора до полного восстановления коноскопической картины, а в остальных областяхпутем измерения интенсивности света в центральной области коноскопической картины.

сооз сОВетских

РЕСПУБЛИК (51)5 G 01 L 1/24

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A ВТОРСКОМ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3й,63авА

ПМБ1И. : и. л;,.Л

Е.,"1Б. с. 1О "

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЭОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4302444/24-10 (22) 31.08.87 (46) 15.02.90. Бюл. Ф б (71) Харьковский авиационный институт им. Н.Е. Жуковского, Харьковское научно-производственное объединение

"Монокристаллреактив" и Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР (72) В.К. Комарь, В.П. Мигаль, В.А. Ульянов и О.Н. Чугай (53) 531,781.2(088.8) (56) Меланхолин Н.M. Методы исследования оптических свойств кристаллов.

M. Наука, 1970, с. 67.

Меланхолии Н.И. и Грум-Гржимайло С.В.

Методы исследования оптических свойств кристаллов. M. 1954, рис. 108. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОСТАТОЧНЫХ

НАПРЯЖЕНИЙ В ОБЪЕКТАХ ИЗ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к экспериментальным методам определения мехаИзобретение относится к измерительной технике и может использоваться для измерения остаточных напряжений B поликристаллических материалах.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей путем определения напряжений в областях, имеющих пониженную кристаллографическую симметрию, Способ заключается в том, что на поверхность объекта, помещенного в полярископ между поляризатором и .ана.SU 1543258 A 1 нических напряжений в прозрачных кристаллических материалах и может быть использовано в квантовой электронике и оптоэлектронике. Целью изобретения является повышение эффективности путем определения напряжений в областях, имеющих пониженную кристаллографическую симметрию. Для этого на поверхность объекта помещают матрицу одинаковых шариков, изготовленных из одноосного кристалла, оптическая ось которых перпендикулярна поверхности объекта, фотографируют объект в поляризованном свете, по виду и величине искажений ветвей изогир судят о распределении напряжений и областей с пониженной симметрией. Остаточные напряжения в областях с пониженной симметрией определяют путем поворота анализатора до полного восстановления коноскопической картины, а в остальных областях— путем измерения интенсивности света в центральной области коноскопической картины. лизатором, помещают матрицу микроконоскопов-компенсат оров из одноосного кристалла таким образом, что их ось перпендикулярна поверхности объекта, Затем на фотографии объекта по искажению изогир находят области с пониженной кристаллографической симметрией. Затем поворачивают анализатор до восстановления коноскопической картины и по углу поворота определяют остаточные напряжения в областях с пониженной кристаллографической симмет1543258

Составитель В.Маслов

Редактор 10.Середа Техред N,Äèäüù Корректор Л.Патай

Заказ 394 Тираж 477 Подписное

ВИИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКИТ СССР

113035, Москва, И-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 рией. В областях без нарушения кристаллографнческой симметрии измеряют интенсивность света в центре коноскопической картины, по которой определяют остаточные напряжения в этих областях.

Формула изобретения

Способ определения остаточных напряжений в объектах из поликристаллических материалов, основанный на наблюдении коноскопической картины с помощью прозрачного шарика, помещенного на поверхность объекта, расположенного в полярископе между поляризатором и анализатором, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью пОвышения эффективности путем определения напряжений в областях, имеющих пониженную кристаллографическую симметрию, на поверхность объекта помещают матрицу микроконоскопов-компенсаторов, изготовленных из одноосного кристалла в виде нескольких одинако- j вых шариков, оптическая ось которых перпендикулярна поверхности объекта, фотографируют объект и по характеру и величине искажений ветвей изогир судят о распределении напряжений в объекте и находят области с пониженной кристаллографической симметрией, причем остаточные напряжения в областях с пониженной кристаллографической симметрией определяют по углу поворота анализатора до полного восстановления киноскопической картины, а в областях без нарушения кристаллографической симметрии после поворота анализатора измеряют интенсивность света в центральной области коноскопической картины, по которой рассчитывают остаточные напряжения °