PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ШАПУРКО АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ

Изобретатель ШАПУРКО АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ определения концентрации водородсодержащих примесей в ионных кристаллах

Способ определения концентрации водородсодержащих примесей в ионных кристаллах

  Изобретение относится к области аналитической химии ионных кристаллов, которые широко используются для фундаментальных исследований, в качестве лазерных сред, детекторов ядерных излучений и т.д. Целью изобретения является повышение чувствительности и точности способа. Сущность изобретения заключается в том, что в кристалл вводят электронные центры окраски, взаимодействующие с водо...

1539609

Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей

Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей

  Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации. Способ позволяет повысить степень очистки. Очистку кристалла от молекулярных примесей проводят путем введения в него острийным эле...

1694716

Способ получения щелочно-галоидных монокристаллов

Способ получения щелочно-галоидных монокристаллов

  Изобретение относится к получению ионных кристаллов, легированных гидридионами , и может быть использовано для получения фотохромных сред, лазерных сред, детекторов светового и ионизирующих излучений. Обеспечивает сокращение времени процесса и повышение его безопасности . Способ включает выращивание кристалла, введение в него сверхстехиометрического металлического компонента и во...

1730220

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

  Изобретение относится к получению монокристаллов бромидов и может быть использовано для легирования кристаллов и их использования в фундаментальных исследованиях . Обеспечивает получение бромидов с избытком брома. Способ включает электролиз кристалла с использованием плоского электрода и острийного, соединенного с положительным потенциалом. Электролиз ведут при температуре на 30...

1730221

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

Способ обработки щелочно-галоидных монокристаллов

  Изобретение относится к получению щелочно-галоидных монокристаллов высокой степени чистоты и может быть использовано для получения диспергирующих зле ментов ИК-спектроскопии, сред для записи информации, образцов для фундаменталь ных исследований, а также для очистки монокристаллов от кислородсодержащих примесей. Обеспечивает очистку кристаллов от примесей. Способ включает электро...

1730222


Способ определения концентрации водородсодержащих примесей в ионных кристаллах

Способ определения концентрации водородсодержащих примесей в ионных кристаллах

  Изобретение относится к аналитической химии ионных кристаллов, которые широко используются для функциональных исследований, в качестве лазерных сред, детекторов ядерных излучений и т.д. Сущность изобретения заключается в том, что после введения в кристалл электронных центров окраски , спектрофотометрические измерения проводят при температуре не выше 0°С до и после облучен...

1755127

Способ получения брома

Способ получения брома

  Сущность изобретения: монокристалл бромида помещают на анод в виде острия. Ведут электролиз при температуре на 20- 40°С ниже температуры плавления монокристалла . Сила тока электролиза 10 мА. 2 табл. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (5!)5 С 25 В 1/24 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕ...

1775497

Способ очистки щелочно-галоидных монокристаллов

Способ очистки щелочно-галоидных монокристаллов

  Использование: фундаментальные исследования монокристаллов и их применение в качестве оптических сред. Способ включает образование в щелочно-галоидном монокристалле (К) избытка галогена (Г) путем электролиза с использованием одного плоского электрода и второго острийного при температуре на 30-50°С ниже температуры плавления кристалла. Электролиз ведут в течение времени, о...

1818365