ПЕТЬКОВ ИВАН СЕРГЕЕВИЧ

  Изобретение относится к технологии вытягивания кристаллов из смачиваемого расплавом формообразователя и обеспечивает улучшение макрострук туры боковой поверхности кристалла. ;Вытягивание кристалла ведут с рабочей и боковой поверхностей формообразователя , сопряженных участком с кривизной поверхности, лежащей в пределах 0,5 1/а К 4 1/а, где а - капиллярная постоянная. При случайны...

  Использование: изобретение относится к технике выращивания кристаллов вытягиванием из расплава методом Чохральского и может быть использовано для получения кристаллов различной формы сечения. Сущность изобретения: способ позволяет увеличить точность поддержания .геометрического параметра сечения кристалла, При этом в расплав вводят пластину параллельно поверхности расплава, измер...

  Использование: кристаллы для акустоэлектронных устройств для аналоговой обработки сигнала. Сущность изобретения: кристаллы выращивают методом Чохральского. При разращивании кристалл вращают со скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной...