Способ выращивания кристаллов молибдата гадолиния 90 @ ориентации

Способ выращивания кристаллов молибдата гадолиния 90 @ ориентации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: кристаллы для акустоэлектронных устройств для аналоговой обработки сигнала. Сущность изобретения: кристаллы выращивают методом Чохральского. При разращивании кристалл вращают со скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧ Е С К ИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ы (21) 4931424/26 (22) 26.04.91 (46) 15.03,93. Бюл. N 10 (71) Институт физики твердого тела

АН СССР (72) В.Н,Курлов, И.С.Петьков и Б.С.Редькин (56) Патент CLUA М 3880984, кл, В 01 3 17/00, 1975. (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ МОЛИБДАТА ГАДОЛИНИЯ 90 ОРИЕНТАЦИИ

Изобретение относится к технике выращивания кристаллов вытягиванием иэ расплава методом Чохральского и может быть использовано для получения высококачественных монокристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации, Кристаллы 90 ориентации требуются для получения функциональных управляемых акустоэлектронных устройств для аналоговой обработки сигнала.

Целью изобретения является увеличе.ние размеров кристаллов при сохранении качества.

Пример 1, Для выращивания кристаллов молибдата гадолиния 90 . ориентации использовались заранее ориентированные 90 -ные затравки. Выращивание проводили на воздухе из платинового тигля, имеющего следующие размеры; диаметр — 40 мм, высота — 40 мм, толщина стенки — 3 мм, Тепловая зона была выполнена в виде труб из спеченной окиси алюминия. Расплав находился при 1160 С.

Скорость вытягивания кристаллов составляла 5 — 1.0 мм/ч, Скорость вращения при разЫЛ 1801991 А1 (sl)s С 30 B 15/00, 15/34, 29/32

2 к (57) Использование: кристаллы для акустоэлектронных устройств для аналоговой обработки сигнала. Сущность изобретения: кристаллы выращивают методом Чохральского, При разращивании кристалл вращают со скоростью 20- 50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, 2 табл. ращивании составляла 40 o6/мин. При этом толщина кристалла 25 мм, После разращивания скорость вращения увеличили до

100 об/мин — толщина кристалла осталась прежней. Длина участка разращивания со ставила 15 мм, Было выращено 12 кристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации длиной 50 — 60 мм, шириной до 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества. Из каждого 00 кристалла вырезали 6 элементов шириной Ср

10 мм, толщиной t1 мм, длиной 40 мм, ° Ъ

В табл,1 приводятся значения толщин ь0 выращиваемых кристаллов в зависимости от толщины кристалла при разращивании в момент увеличения скорости вращения кри-. сталлов до 100 об/мин, Также проводилось рааращиваиие кри- 3 "» сталлов с другими скоростями вращения при прочих равных условиях, указанных в примере 1, Данные представлены в табл.2.

По сравнению с прототипом изобретение позволяет получать кристаллы молибдата гадолиния 90 ориентации толщиной

2 раза больше, а следовательно. увеличить производительность в 2 раза.

1801991

Формула изобретения

Таблица 1

Таблица 2

Скорость вращения кристалла (об/мин) при раращивании

Примечание

Количество элементов, 10мм х11 мм х40мм, вырезанное из одного к исталла

Кристаллы растрескивались при охлаждении

Единичные случаи растрескивания., Кристаллы хорошего качества

Кристаллы хорошего качества, но их толщина не удовлетворяет требуемой при резке на элементы.

20

60

Составитель Н.Курлов

Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор Н,Ревская

Редактор

Заказ 830 Тираж Подписн ое

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Способ выращивания кристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации, включающий затравливание, разращивание 5 кристалла и вытягивание при вращении кристалла со скоростью 90-110 об./мин, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов при сохранении качества, при разращивании кристалла вращают со скоростью 20-50 об./мин до достижения толщины более 15 мм,