РЕДЬКИН БОРИС СЕРГЕЕВИЧ

  Изобретение относится к технике измерения физических констант расплавов и растворов. Целью изобретения является повьшение точности измерения и упрощение способа путем исключения необходимости выращивания кристалла-зонда заданной формы. Способ включает формирование мениска и определение высоты мениска, сцедленного с поверхностью смачиваемого твердого тела известных формы и размеро...

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов, а именно к установке для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов из расплава, и обеспечивает повышение качества кристалла за счет уменьшения механических нарушений. Установка состоит из станины с несущей колонкой, установленной на опорной плите, камеры роста, в которой на нижнем штоке установлен тигель, а на...

  Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для изучения поверхностных свойств расплавов и растворов в металлургии и химической промышленности. Целью изобретения является сокращение времени определения при проведении многократных измерений. Для этого вертикальный щуп, погружаемый в жидкость, выполнен в виде трубки с заостренной нижней кромкой...

  Изобретение относится к технологии вытягивания кристаллов из смачиваемого расплавом формообразователя и обеспечивает улучшение макрострук туры боковой поверхности кристалла. ;Вытягивание кристалла ведут с рабочей и боковой поверхностей формообразователя , сопряженных участком с кривизной поверхности, лежащей в пределах 0,5 1/а К 4 1/а, где а - капиллярная постоянная. При случайны...

  Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов сложных окислов из расплава и может быть использовано для получения кристаллов LiNbOs и Gda(Mo04)3. используемых в акустооптоэлектронике. Способ позволяет повысить качество монолитных кристаллов за счет уменьшения влияния поверхности формообразователя. Способ включает затравливание и вытягивание кристалла на з...

  Использование: изобретение относится к технике выращивания кристаллов вытягиванием из расплава методом Чохральского и может быть использовано для получения кристаллов различной формы сечения. Сущность изобретения: способ позволяет увеличить точность поддержания .геометрического параметра сечения кристалла, При этом в расплав вводят пластину параллельно поверхности расплава, измер...

  Использование: кристаллы для акустоэлектронных устройств для аналоговой обработки сигнала. Сущность изобретения: кристаллы выращивают методом Чохральского. При разращивании кристалл вращают со скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной...